Интегральные устройства радиоэлектроники вариант 03

корпус2re.dwg

*Размеры для справок.. 2. Клей ТКЛ-2
наполнитель комплексный
ОСТ 4Г0.029.204 для платы поз.1
компонентов поз.3. 3. Припой ПОС-61 ГОСТ 21930-76 для элементов поз.3. 4. Элементы установить по ОСТ 107.460084.200-88
раздел 6. 5. Обозначение элементов и номера контактных площадок показаны условно и соответствуют схеме электрической принципиальной НУРК.431121.023 Э3. 6 Переферийные контактные площадки платы соединить с выводами корпуса сваркой микродавлением с косвенным нагревом для проволоки Зл.Пд.-2
мм. ГОСТ 7222-75 поз.4. 7. Допускается смещение соединительных проводов относитьельно центров контактных площадок не более 0
мкм. 8. Корпус герметизировать по ОСТ 4Г0.054.059 аргонодуговой сваркой. 9. Место сварки после герметизации покрыть лаком УР-231.В22 ТУ 6-21-14-90. 10. Маркировать тип микросборки
шрифт 3-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 11. Маркировать товарный знак предприятия-изготовителя
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 12. Маркировать номер партии
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 13. Маркировать год и месяц изготовления
шрифт 2-Пр.3 по ГОСт 26.020-80 14. Клеймить знак ОТК
-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 15. Маркировать знак чувствительности к статическому электричеству. Условное оюозначение первого вывода
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 16. Маркировать и клеймить краской МА-154 черной ТУ 6-10-1241-77. Покрытие лак УР-231.В22 ТУ 6-21-14-90.
Крышка корпуса поз.2 условно не показана

принципиальная2re.dwg

Дифференциальный усилитель
Транзистор КТ307А аАО.336.025 ТУ

анализ1.2.doc

Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Новгородский Государственный Университет имени Ярослава Мудрого
Кафедра “Проектирование и технология РЭА”
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ДУ-03
Курсовой проект по учебной дисциплине:
Интегральные устройства радиоэлектроники
Пояснительная записка к курсовому проекту по направлению
1100 – проектирование и технология электронных средств
Анализ схемы электрической принципиальной по постоянному току5
Расчет тонкопленочного конденсатора 12
Расчет пленочных контактов 15
Расчет межсоединений 16
Разработка топологии. Выбор корпуса 17
Расчет теплового режима 18
Расчет надежности 20
Список литературы 22
Использование средств микроэлектроники – основа современного этапа развития всех отраслей радио и электронного приборостроения. Процессы производства и применения интегральных схем (ИС) являются совокупным отражением передовых научно-технический достижений в области физики радиотехники автоматики кибернетики машиностроении.
Важные задачи сегодняшнего дня выдвигают новые требования к уровню подготовки современных специалистов. Особенно важно для отраслей промышленности определяющих научно-технический и социальный прогресс.
Знание основ микроэлектроники необходимо для рационального применения электронной базы при создании радиоэлектронной аппаратуры обоснованного задания технических требований на разработку функционально - специализированных изделий микроэлектроники а также их схемотехнического проектирования.
Курсовой проект ставит своей целью разработку тонкоплёночной гибридной схемы. Разработанная гибридная схема позволит уменьшить характеристики разрабатываемого устройства в котором будет применена эта схема.
Рисунок 1 – Схема электрическая принципиальная
Эта схема представляет собой дифференциальный усилитель ДУ-03. В схеме представлены шесть резисторов один конденсатор и четыре транзистора типа КТ307А. Исходные данные приведены в таблице 1.
Таблица 1- Исходные данные
Напряжение питания U = 63B
Микросхема должна удовлетворять следующим требованиям:
-рабочая температура окружающей среды от минус 10 до плюс 25 ºС;
-срок службы 3000 часов;
-тип производства – серийное.
Анализ схемы электрической принципиальной по постоянному току
1 Расчет рассеиваемой мощности
Рисунок 2- Эквивалентная схема
Общая рассеиваемая мощность для наихудшего случая (к. з. или обрыв транзистора конденсатора отдельного р—n перехода) при сопротивлении всех резисторов Rобщ = 068 кОм и напряжении U = 126 В по формуле:
ток в цепи по формуле:
Определение рассеиваемой мощности на каждом резисторе по формуле:
2 Исходные данные для конденсатора
-величина емкости конденсатора С1 = 1200 пФ;
-допустимое отклонение емкости от номинала γс = 30 %;
-рабочее напряжение Up = 12.6 В
-максимальное значение рабочей температуры Тma
-погрешность воспроизведения удельной емкости γС0 = 10 %.
3 Исходные данные для транзисторов
В качестве навесного компонента задан транзистор типа КТ 307 А без корпусной с гибкими выводами и защитным покрытием.
Рисунок 3 – Эскиз транзистора КТ 307 A
Транзистор имеет следующие параметры:
- наибольшее напряжение коллектор-база .
- наибольшее напряжение коллектор-эмиттер ..
- наибольшее напряжение эмиттер-база
- наибольший ток эмиттера .
- наибольшая мощность рассеивания .
- температура окружающей среды ..
1 Исходные данные для резисторов
-номинальное значение сопротивления резистора R1 = 4000 Ом R2 = 1800 Ом
R3 = 4000 Ом R4 = 4000 Ом R5 = 1700 Ом R6= 5600 Ом;
-допуск на номинал γR
-мощность рассеивания Pt = 023 Вт;
-максимальное значение рабочей температуры Tmax=85°С.
2 Определение оптимального значения удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки с точки зрения обеспечения минимума площади под резисторами гибридной ИС
где n - число резисторов;
Ri — номинал i-го резистора.
Материал резистивной пленки выбирается в соответствии со значением удельного поверхностного сопротивления.
Сплав РС 3001 ГОСТ 22025-76
-ρsопт = 800 3000 Ом
-Допустимая мощность рассеивания Р0 – 5 Втсм2
-Стабильность в течение 1000ч. -05%
3 Проверка правильности выбранного материала резистивной пленки
Полная относительная погрешность изготовления пленочного резистора γR=ΔRR. состоит из суммы погрешностей
где γkф — погрешность коэффициента формы;
γρs — погрешность воспроизведения величины ρs резистивной пленки;
γRT — температурная погрешность;
γRk – погрешность переходных сопротивлений контактов;
γRст - погрешность обусловленная старением пленки.
Погрешность коэффициента формы γkф зависит от погрешности воспроизведения геометрических размеров резистора и определяется как
Погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопротивления γρS= 5%
Температурная погрешность зависит от TKR материала пленки
где αR — температурный коэффициент сопротивления материала пленки l0C.
Погрешность γRст обусловленная старением пленки зависит от материала пленки и эффективности ее защиты а также от условий хранения и эксплуатации. γRст= 3 %.
Погрешность переходных сопротивлений контактов γRk= 2 %.
Допустимая погрешность коэффициента формы определяется из выражения
Полученное значение γkфдоп >0 значит изготовление резистора заданной точности из выбранного материала возможно.
4 Определение конструкции резисторов по значению коэффициента формы kф
Коэффициенты формы резисторов соответствуют 1kф10 следовательно их рекомендуется конструировать прямоугольной формы.
5 Расчет геометрических размеров резисторов
5.1 Расчет геометрических размеров резисторов R1 R3 R4 R6
Для резисторов имеющих 1kф10 расчетное значение ширины резистора определяем из условия
где bтехн — минимальная ширина резистора определяемая возможностями выбранного технологического процесса (bтехн=01 мм — для метода фотолитографии);
bточн — ширина резистора определяемая точностью изготовления;
bp — минимальная ширина резистора при которой рассеивается заданная мощность.
Ширина резистора определяемая точностью изготовления определяется по формуле:
Минимальная ширина резистора при которой рассеивается заданная мощность определяется по формуле:
Расчетная длина резистора определяется по формуле
За длину l резистора принимают ближайшее к lрасч значение кратное шагу координатной сетки принятому для чертежа топологии с учетом масштаба.
Полная длина резистора с учетом перекрытий контактных площадок:
где е — размер перекрытия резистора и контактной площадки (e= 01 мм для метода фотолитографии).
Площадь занимаемая резистором на площадке определяется по формуле
Для проверки правильности расчета находим действительную удельную мощность рассеивания и погрешность резистора. Резистор спроектирован удовлетворительно если:
) удельная мощность рассеивания не превышает допустимого значения Р0:
) погрешность коэффициента формы γ'kф не превышает допустимого значения ykф
) суммарная погрешность γ R' не превышает допуска γ R
5.2 Расчет геометрических размеров резисторов R2 R5
Для резисторов имеющих 01kф1расчетное значение длины резистора определяем из условия
lp — минимальная длина резистора при которой рассеивается заданная мощность.
Длина резистора определяемая точностью изготовления определяется по формуле:
Минимальная длина резистора при которой рассеивается заданная мощность определяется по формуле:
Расчетная ширина резистора определяется по формуле
Таблица 2 - Параметры резисторов
Номинальное сопротивление R кОм
Рассеиваемая мощность Р Вт
Коэффициент формы КФ
Ширина резистора b мкм
Длина резистора lПОЛН мкм
Площадь резистора S мм2
Удельная мощность рассеивания Втсм2
Погрешность коэффициента формы %
Суммарная погрешность %
Расчет тонкопленочного конденсатора
1Исходные данные для конденсатора
-погрешность воспроизведения удельной емкости γС0 = 10 %;
-материал диэлектрика: оксид алюминия (ТУ 6-09-17-226-88)
= 10 при f=1кГц Епр=9*106 Всм fраб=100МГц= 0007 ТКС=2.5*10-4 1°С γсст=3
-материал для напыления обкладок: алюминий А97 (ГОСТ 11069-88) удельное поверхностное сопротивление обкладок ρs=0.6 Ом
2 Определение минимальной толщины диэлектрика
где kз — коэффициент запаса электрической прочности
Епр — электрическая прочность материала диэлектрика Вмм.
3 Удельная емкость конденсатора с учетом электрической прочности
где d — толщина диэлектрика.
4 Относительная температурная погрешность
где αс — температурный коэффициент емкости материала диэлектрика.
5 Допустимая относительная погрешность активной площади конденсатора
6 Удельная емкость конденсатора с учетом точности его изготовления
Для обкладок квадратной формы kф=1
Точность изготовления линейных размеров пленочных элементов и расстояний между ними ΔL ΔB при масочном методе равна ±001 мм.
Выбираем минимальное значение удельной емкости конденсатора учитывая электрическую прочность и точность изготовления С0= 2200 пФмм2 С0m 67500).
7 Коэффициент учитывающий краевой эффект
К = 1.3-0.06сс0 = 127
8 Площадь верхней обкладки конденсатора
9 Размеры верхней обкладки конденсатора
10 Размеры нижней обкладки конденсатора с учетом допусков на перекрытие
где q—размер перекрытия нижней и верхней обкладок конденсатора (q = 02мм).
11 Размеры диэлектрика
где f' — размер перекрытия нижней обкладки и диэлектрика (f' = 01 мм).
12 Площадь занимаемая конденсатором
Конденсатор спроектирован правильно если:
а) рабочая напряженность электрического поля Eраб не превышает Eпр материала диэлектрика
б) погрешность активной площади конденсатора не превышает допустимую
Расчет пленочных контактов
1 Минимальное сопротивление контактных систем
где ρsпов- поверхностное сопротивление резистивного материала
ρk- удельное поверхностное сопротивление (ρk = 0.05 0.25 Оммм2 – при получении контактной системы в едином вакуумном цикле).
2 Максимально допустимая величина контактного сопротивления
Для остальных резисторов Rk min и Rk доп рассчитываются аналогично
3 Минимальная длина переходного контакта
4 Полная длинна контактного перехода с учетом ошибок совмещения
где = 02 мм – погрешность совмещения;
l = b = 001 мм – погрешность изготовления фотолитографии.
5 Полная ширина контактного перехода
Таблица 3- Параметры контактных площадок
Расчет межсоединений
В качестве проводников и контактных площадок используется многослойная система: подслой – проводниковый слой – защитный слой. Подслой обеспечивает адгезию к подложке и резистивному слою проводящего материала. Проводниковый – необходимое удельное сопротивление.
Таблица 4- Материалы подслоя и основного слоя
Материалы подслоя слоя
Удельное сопротивление
Х20Н80 (ГОСТ 2238-58)
Основной слой – никель
Контактирование внешних выводов осуществляется с помощью сварки импульсным нагревом.
Разработка топологии. Выбор корпуса
Таблица 5- Основные конструкторские требования и технологические ограничения
Содержание ограничения
Величина ограничения мм
Минимальное расстояние между пленочными
Минимальное расстояние от пленочного элемента до края платы
Минимальный размер плёночного элемента (l = b)
Минимальный размер контактной площадки для присоединения одного проводника:
Минимальное расстояние между контактными площадками
Минимальное расстояние от края навесного компонента до:
края другого компонента
края контактной площадки
края навесного элемента
проволочного проводника
Минимальное расстояние от края диэлектрика до
мест соединения выводов обкладок конденсатора с другими пленочными элементами
Максимальная длинна гибкого проволочного проводника без дополнительного крепления
Выбираем ориентировочную площадь подложки которую будет необходимо уточнить при выборе корпуса или способе защиты от внешних воздействий.
Необходимую площадь подложки рассчитываем по формуле:
где k – коэффициент заполнения подложки (k = 3);
SC – площадь занимаемая конденсаторами (SC = 2мм2);
Sнк – площадь занимаемая навесными компонентами (Sнк = 16мм2);
Sкп – площадь занимаемая контактными площадками (Sкп = 2мм2).
Выбранная площадь платы S = 96 мм2 габаритные размеры платы 8x12 мм.
С целью обеспечения эксплутационных требований микросборку защищаем от воздействий конструкцией металлостеклянного корпуса
- масса не более 2 г
- размеры монтажной площадки 17 x 83 мм
- мощность рассеивания при температуре 20°С 16 Вт
- метод герметизации корпуса аргонодуговая сварка
Расчет теплового режима
Тепловое сопротивление микросборки рассчитывается по формуле:
где λП и λК – коэффициенты теплопроводности материала подложки и клея Вт(м·ºС)
hП и hК – толщина подложки и клеевого слоя соответственно hП = 06 мм hК = 01 мм;
S - площадь контакта тепловыделяющего элемента с подложкой.
Тепловое сопротивление в этом случае определяется по формуле:
l и b - линейные размеры источника теплоты
Определение перегрева элементов НАК и области р-n перехода НАК и корпуса за счет рассеиваемой ими мощности:
где RTBН – внутреннее тепловое сопротивление НАК. RTBН = 630 ºСВт;
ВН - перегрев области р – n перехода НАК относительно подложки;
Э и НАК – перегрев элемента и НАК определяется как разность между их температурой и средней температурой поверхности корпуса;
к - перегрев корпуса относительно температуры окружающей среды;
Рэ и Рнак - рассеиваемая мощность элементами и НAК соответственно;
Р - суммарная мощность рассеиваемая ГИМС;
RK - тепловое сопротивление корпуса равное
где St - площадь теплового контакта подложки с корпусом;
α - коэффициент теплопроводности (α = 3000 Вт(м·ºС))
Определим температуру элементов
ТЭR1 = 350 + 13 + 34 =290 ºС
Определим температуру НАК
ТНАК = ТСМАХ + К + НАК + ВН
ТНАК = 350 + 13 + 44 + 315 = 720 ºС
Проверка выполнения условий
Таблица 5 - Результаты расчета теплового режима
Основными показателями характеризующими надёжность ГИМС является вероятность безотказной работы на заданном отрезке времени P(t) (3000 ч) и среднее время наработки на отказ.
гдеλΣ = nλRα1Rα2R + mλCα1Cα2C + lλHTα1Tα2 + pλКПα1КП
гдеλR – интенсивность отказов пленочных резисторов (λR = 10-9 1час);
λС – интенсивность отказов пленочных конденсаторов (λС = 05·10-8 1час);
λНТ – интенсивность отказов транзисторов (λНТ = 10-8 1час);
λКП – интенсивность отказов контактных соединений (λКП = 10-9 1час);
α1 – коэффициент характеризующий зависимость интенсивности отказов от температуры (α1R = 18; α1C = 15; α1T = 2; α1КП = 1; при T = 85 ºС);
α2 – коэффициент характеризующий зависимость интенсивности отказов от электрической нагрузки (α2R = Р α1C = U α1T = U α1КП = 1).
λΣ = 6·10-9·18·(011+0158+0158+0032+0079)5 + 1·05·10-8·15·(126500) + 4·10-8·2·(12665)+
+32·10-9 ·1·1=508·10-8
P(3000) = exp (-3000·508·10-8) = 09999
В соответствии с заданием на курсовое проектирование была разработана конструкция микросборки дифференциального усилителя и оформлен курсовой проект. Проделанная работа позволяет закрепить теоретические знания в проектировании гибридных интегральных микросхем на основе тонкопленочной технологии а также способствует приобретению необходимых навыков по разработке конструктивности микросхем с учетом реальных конструкторско-технологических ограничений и требований что в полной мере соответствует целям курсового проектирования.
Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. Учебное пособие для вузов. Под редакцией Л. А. Коледова М: - Высшая школа 1984 - 231с.
Матсон Э. А. Кржижановский Д. В. Справочное пособие по конструированию микросхем; Минск: Высшая школа 1974 – 208c.
Конструирование технология микросхем и микропроцессоров (часть 1) . методическое указание по курсовому проектированию. Л: СЗПИ 1990
Конструирование и расчет микросхем и микропроцессоров. Учебное пособие для высших учебных заведений. М: Радио и связь 1986г.

плата2re.dwg

допустимое отклонение
Проверяемый номинал и
должны соответствовать данным
указанным в таблице 2.
Значения отдельных сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов
*. Размер для справок.
Характеристики отдельных слоев приведены в таблице 1.
Элементы в слоях выполнять по координатам
приведенным в таблицах на
соответствующих листах.Координаты даны в масштабе чертежа.
Номера контактных площадок и обозначения элементов показаны условно и
соответствуют схеме электрической принципиальной НУРК.431121.023 Э3.

ведомость.doc

Пояснительная записка
Документация по деталям
Дифференциальный усилитель ДУ-23
Ведомость курсового проекта

слой 4re.dwg

*Размер для справок. 2. Элементы в слоях выполнить по координатам
приведенным в таблицах на соответствующих листах. Координаты даны в масштабе чертежа. 3. Характеристики отдельных слоев приведены в таблице 1 и 2. 4. Номера контактных площадок
обозначение элементов и навесных компонентов показаны условно и соответствуют схеме электрической принципиальной НУРК.431124.001 Э3.
Проверяемые номиналы
*Размеры для справок.. 2. Клей ТКЛ-2
наполнитель комплексный
ОСТ 4Г0.029.204 для платы поз.1
компонентов поз.3. 3. Припой ПОС-61 ГОСТ 21930-76 для элементов поз.3. 4. Элементы установить по ОСТ 107.460084.200-88
раздел 6. 5. Обозначение элементов и номера контактных площадок показаны условно и соответствуют схеме электрической принципиальной НУРК.431121.001 Э3. 6 Переферийные контактные площадки платы соединить с выводами корпуса сваркой микродавлением с косвенным нагревом для проволоки Зл.Пд.-2
мм. ГОСТ 7222-75 поз.4. 7. Допускается смещение соединительных проводов относитьельно центров контактных площадок не более 0
мкм. 8. Корпус герметизировать по ОСТ 4Г0.054.059 аргонодуговой сваркой. 9. Место сварки после герметизации покрыть лаком УР-231.В22 ТУ 6-21-14-90. 10. Маркировать тип микросборки
шрифт 3-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 11. Маркировать товарный знак предприятия-изготовителя
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 12. Маркировать номер партии
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 13. Маркировать год и месяц изготовления
шрифт 2-Пр.3 по ГОСт 26.020-80 14. Клеймить знак ОТК
-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 15. Маркировать знак чувствительности к статическому электричеству. Условное оюозначение первого вывода
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 16. Маркировать и клеймить краской МА-154 черной ТУ 6-10-1241-77. Покрытие лак УР-231.В22 ТУ 6-21-14-90.
Крышка корпуса поз.2 условно не показана
Вид на верхнюю обкладку конденсатра

задание.doc

Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Кафедра «Проектирование и технология радиоаппаратуры»
Задание на курсовое проектирование
1 Конструктивно-технологические условия
2 Материальные ресурсы
3 Экономические условия
4 Организационно-временные условия
4.1 Наименование работ и сроки их выполнения (контрольные точки)
4.2 Рекомендуемая литература
4.3. Документы КП (обязательные и согласуемые с руководителем)
Задание выдал Задание получил
(должность звание)(уч. группа)
(фамилия и.о)(фамилия и.о)

слой 2re.dwg

слой 3re.dwg

*Размер для справок. 2. Элементы в слоях выполнить по координатам
приведенным в таблицах на соответствующих листах. Координаты даны в масштабе чертежа. 3. Характеристики отдельных слоев приведены в таблице 1 и 2. 4. Номера контактных площадок
обозначение элементов и навесных компонентов показаны условно и соответствуют схеме электрической принципиальной НУРК.431124.001 Э3.
Проверяемые номиналы
*Размеры для справок.. 2. Клей ТКЛ-2
наполнитель комплексный
ОСТ 4Г0.029.204 для платы поз.1
компонентов поз.3. 3. Припой ПОС-61 ГОСТ 21930-76 для элементов поз.3. 4. Элементы установить по ОСТ 107.460084.200-88
раздел 6. 5. Обозначение элементов и номера контактных площадок показаны условно и соответствуют схеме электрической принципиальной НУРК.431121.001 Э3. 6 Переферийные контактные площадки платы соединить с выводами корпуса сваркой микродавлением с косвенным нагревом для проволоки Зл.Пд.-2
мм. ГОСТ 7222-75 поз.4. 7. Допускается смещение соединительных проводов относитьельно центров контактных площадок не более 0
мкм. 8. Корпус герметизировать по ОСТ 4Г0.054.059 аргонодуговой сваркой. 9. Место сварки после герметизации покрыть лаком УР-231.В22 ТУ 6-21-14-90. 10. Маркировать тип микросборки
шрифт 3-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 11. Маркировать товарный знак предприятия-изготовителя
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 12. Маркировать номер партии
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 13. Маркировать год и месяц изготовления
шрифт 2-Пр.3 по ГОСт 26.020-80 14. Клеймить знак ОТК
-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 15. Маркировать знак чувствительности к статическому электричеству. Условное оюозначение первого вывода
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 16. Маркировать и клеймить краской МА-154 черной ТУ 6-10-1241-77. Покрытие лак УР-231.В22 ТУ 6-21-14-90.
Крышка корпуса поз.2 условно не показана
Вид на диэлектрик конденсатора

задание на курсовой проект.doc

Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новгородский Государственный Университет имени Ярослава Мудрого
Кафедра «Проектирования и технология радиоаппаратуры»
Заведующий кафедрой ПТР
Задание на курсовое проектирование
Учебная дисциплина: «Интегральные устройства радиоэлектроники»
Цели курсового проектирования
2 Разработать конструкцию гибридной интегральной микросхемы (ГИМС)
название устройства
в тонкопленочном исполнении согласно заданию.
2 Максимальная рабочая частота fmax – соответствует верхней рабочей частоте используемого транзистора
5 Материалы и комплектующие изделия из ограничительного перечня предприятия
7 Остальные исходные данные в таблицах 121 согласно варианту
Организационно-временные условия
1 Наименование работ и сроки их выполнения*
) Анализ задания 20 сентября
) Анализ схемы электрической принципиальной (расчет по постоянному току)
) Разработка топологии (КОНТРОЛЬНАЯ ТОЧКА) 8-я неделя 18 октября
) Срок сдачи законченного проекта 13 декабря
*Сроки выполнения неуказанные преподавателем студент планирует самостоятельно
2 Рекомендуемая литература согласно методическим указаниям: Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров (ч.1). Метод. указ. к курсовому проект. – Л.СЗПИ 1990 40с. и дополнительно:
) Разработка и оформление конструкторской документации РЭА: Справочник Э.Т. Романычева М.: Радио и связь 1989
) ОСТ 107.460084.200-88 Микросборки. Общие требования и нормы конструирования.
) ОСТ 107.750878.001-87 Технология изготовления тонкопленочных плат. Общие требования.
) Примеры выполнения конструкторской документации. Электронная версия. Сост. Петров О.Н. 2006 г.
3 Документы предъявляемые на защиту:
) Схема электрическая принципиальная Э3
) Перечень элементов ПЭ3
) Сборочный чертеж СБ
Задание выдал Задание получил
подпись подпись Ф.И.О.

Спецификация.DOC

Корпус 151.15-1 ГОСТ17467-79
Проволока Зл.Пд.-25 004мм.
Дифференциальный усилитель ДУ-23

слой 5re.dwg

слой 1re.dwg

*Размер для справок. 2. Элементы в слоях выполнить по координатам
приведенным в таблицах на соответствующих листах. Координаты даны в масштабе чертежа. 3. Характеристики отдельных слоев приведены в таблице 1 и 2. 4. Номера контактных площадок
обозначение элементов и навесных компонентов показаны условно и соответствуют схеме электрической принципиальной НУРК.431124.001 Э3.
Проверяемые номиналы
*Размеры для справок.. 2. Клей ТКЛ-2
наполнитель комплексный
ОСТ 4Г0.029.204 для платы поз.1
компонентов поз.3. 3. Припой ПОС-61 ГОСТ 21930-76 для элементов поз.3. 4. Элементы установить по ОСТ 107.460084.200-88
раздел 6. 5. Обозначение элементов и номера контактных площадок показаны условно и соответствуют схеме электрической принципиальной НУРК.431121.001 Э3. 6 Переферийные контактные площадки платы соединить с выводами корпуса сваркой микродавлением с косвенным нагревом для проволоки Зл.Пд.-2
мм. ГОСТ 7222-75 поз.4. 7. Допускается смещение соединительных проводов относитьельно центров контактных площадок не более 0
мкм. 8. Корпус герметизировать по ОСТ 4Г0.054.059 аргонодуговой сваркой. 9. Место сварки после герметизации покрыть лаком УР-231.В22 ТУ 6-21-14-90. 10. Маркировать тип микросборки
шрифт 3-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 11. Маркировать товарный знак предприятия-изготовителя
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 12. Маркировать номер партии
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 13. Маркировать год и месяц изготовления
шрифт 2-Пр.3 по ГОСт 26.020-80 14. Клеймить знак ОТК
-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 15. Маркировать знак чувствительности к статическому электричеству. Условное оюозначение первого вывода
шрифт 2-Пр.3 по ГОСТ 26.020-80. 16. Маркировать и клеймить краской МА-154 черной ТУ 6-10-1241-77. Покрытие лак УР-231.В22 ТУ 6-21-14-90.
Крышка корпуса поз.2 условно не показана
Вид на резистивный слой
Таблица координат к листу 4