Расчет усилителя с общим коллектором и блока оптронной развязки

Электроника.docx

Постриган П.А ММММ.А
Расчет усилителя с общим коллектором .5
Расчет блока оптронной развязки 11
Расчет полосовых фильтров 12
Расчет источников электропитания .13
Список использованной литературы 22
Для расчета транзисторных усилителей используются два способа: графоаналитический и аналитический. При графоаналитическом методе необходима информация о входных и выходных характеристиках транзистора (по справочнику). Аналитический метод расчета вытекает из теории полупроводниковых приборов и является приближенным. Однако на практике данный метод дает вполне удовлетворительные результаты.
Гальваническая развязка информационных сигналов применяется в системах управления для исключения электрической (гальванической) связи между источниками управляющего и исполнительного сигналов. Данная задача сводится к электрическому разделению общих проводов источника и приемника информации за счет обеспечения информационной связи между ними с помощью дополнительного (например оптического) канала. При использовании оптического канала связи для гальванической развязки применяются оптоэлектронные преобразователи (ОЭП) в качестве которых используются диодные и транзисторные оптопары (оптроны). Фотоприемник диодной оптопары (фотодиод) может работать в генераторном и параметрическом режимах. Фотоприемником транзисторной оптопары является фототранзистор обладающий внутренним усилением фототока базы.
Источники электропитания (ИЭП) должны обеспечить требуемую мощность в нагрузке допустимый уровень пульсаций выходного напряжения и необходимую полярность последнего.
В качестве нагрузки ИЭП могут выступать различные устройства. Элементы автоматики и исполнительные устройства производственного оборудования (реле пускатели электромагниты вибраторы электродвигатели и т.п.) в ряде случаев питаются от трехфазной сети переменного тока частоты равной 50 Гц (с фазным напряжением равным 220 В линейным напряжением равным 380 В) а в ряде случаев от однофазной сети с фазным напряжением =220В либо от источника постоянного тока с напряжением =12 24 36 В.
Интегральные операционные усилители (ОУ) обычно питаются биполярным напряжением Еп=(5 15) В1%.
В цифровых ТТЛструктурах сигналу логической единицы соответствует уровень напряжения U1=(25 45) В а сигналу логического нуля уровень напряжения U0=(03 04) В; в В МОПструктурах U1=Eп U0 Еп. Цифровые микросхемы структуры ТТЛ питаются напряжением Eп=+5В01% а микросхемы МОПструктуры напряжением Еп=(5 25) В025%.
Информационные устройства питаются от стабилизированного источника постоянного тока с напряжением = (5 24) В.
Расчет усилителя с общим коллектором:
транзистор n-p-n типа
транзистор – ГТ323Б (германиевый)
Расчет емкости разделительного конденсатора на выходе.
Разделительный конденсатор С3 не пропускает постоянный потенциал коллектора в нагрузку. Совместно с сопротивлением нагрузки Rн=R5 конденсатор С3 образует RС-цепь которая подавляет низкие частоты и пропускает высокие частоты.
Величина конденсатора С3 определяются по формуле:
С3 расч.(12fсигн Rн).
Рассчитанное значение емкости С3 будет соответствовать ослаблению входного сигнала в раз относительно сигнала на более высоких частотах. Для уменьшения ослабления входного сигнала и расширения за счет этого полосы пропускания усилителя расчетное значение емкости С3расч увеличиваются на 1-2 порядка (в 10-100 раз).Следовательно выбирая значение емкости по стандартному ряду получаем:
Расчет тока коллектора.
При заданном значении тока эмиттера Iэ ток коллектора Iк определяется по формуле: Iк=Iэ где
Расчет сопротивления в коллекторной цепи транзистора.
Для обеспечения усиления сигнала с минимальными искажениями потенциал коллектора относительно земли в статическом режиме Uк0 (при отсутствии входного сигнала) выбирается из условия:
Сопротивление Rк в цепи коллектора определяется по закону Ома:
Округляем значение по стандартному ряду получаем:
Определяется мощность Р3 рассеиваемая на сопротивлении R3 в коллекторной цепи транзистора
Р3 = (Ik)2R3=(0810-3)2499=0000319 Вт
Расчет эквивалентного сопротивления нагрузки переменному току.
При достаточно большой емкости разделительного конденсатора С3 эквивалентное сопротивление нагрузки на переменном токе Rн.экв.оэ определяется параллельным соединением эмиттерного резистора Rэ=R4 и сопротивления нагрузки Rн=R5
Расчет сопротивления в цепи эмиттера.
Сопротивление Rэ=R4 обеспечивает температурную стабилизацию режима транзистора по постоянному току. Для уменьшения влияния температуры на параметры усилителя в целом потенциал эмиттера Uэ относительно земли выбирается в диапазоне 1 2 В. Обычно Uэ=1В.
Сопротивление Rэ определяется по закону Ома:
Ток эмиттера Iэ выбирается в диапазоне (05 10)мА либо задается индивидуально.
Определяется мощность Р4 рассеиваемая на сопротивлении Rэ=R4 в эмиттерной цепи транзистора: Р4 = (Iэ)2R4=(0810-3)21250=00008 Вт
Расчет входного сопротивления транзистора со стороны базы.
Входное сопротивление транзистора со стороны базы h11 определяется по формуле: h11=Rэ()=1250(0.8+1)=2250 Ом
Расчет резистивного делителя в цепи базы транзистора на постоянном токе.
Для температурной стабилизации режима транзистора по постоянному току (при отсутствии входного сигнала) необходимо следить за разностью потенциалов между эмиттером и базой при изменении температуры. Для обеспечения следящей обратной связи по температуре в цепь эмиттера вводится резистор Rэ=R4 а в цепь базы - резистивный делитель R1 R2 с помощью которого стабилизируется потен-циал базы транзистора относительно земли. Если в режиме максимального сигнала ток делителя Iд превышает ток базы Iб то потенциал базы Uб будет определяться только напряжением питания Епит и соотношением резисторов R1 R2. Поэтому обеспечения температурной стабилизации режима обеспечивается условие:
По второму закону Кирхгофа определяется потенциал базы Uб:
где d статический потенциал рn - перехода (для германиевых транзисторов d=03 04 В);
По закону Ома определяются резисторы R1 R2:
R2=UбIд= (d+Uэ) Iэ=130810-3=1625 (Ом)
R1= (Eпит-Uб)Iд=(Eпит-Uб)Iэ=(08-13)0810-3=625 (Ом)
Определяются мощности Р1 Р2 рассеиваемые на сопротивлениях делителя R1 R2
Р1 = (Iд)2R1=(0810-3)2866=0000554 Вт;
Р2 = (Iд)2R2=(0810-3)2137=00000876 Вт.
Расчет резистивного делителя в цепи базы транзистора на переменном токе.
При усилении сигналов переменного тока шина питания Епит заземлена через конденсатор фильтра СФ (имеет нулевой потенциал). Поскольку при достаточно большой емкости СФ емкостное сопротивление фильтра ХС.Ф достаточно мало (XС.Ф=1СФ) резисторы R1 R2 по переменному току соединены параллельно.
Эквивалентное сопротивление делителя R1 R2 переменному току Rд.экв определяется выражением
Rд.экв= R1 R2(R1+ R2)= Ом
Расчет входного сопротивления усилителя с ОЭ.
На низких частотах несоизмеримых с быстродействием выбранного транзистора входное сопротивление усилителя Rвх является чисто активным и соответствует параллельному соединению сопротивлений h11 и Rд.экв
Rвх.= h11 Rд.экв (h11+ Rд.экв)= 2250118(2250+118)=112.1 Ом.
Примечание. На высоких частотах соизмеримых с быстродействием выбранного транзистора сказываются межэлектродные емкости между выводами эмиттер – база база – коллектор и эмиттер – коллектор. Поэтому в области высоких частот входное сопротивление (импеданс) является комплексной величиной.
Расчет входного конденсатора в цепи базы транзистора.
Разделительный конденсатор С1 предназначен для отделения постоянной составляющей входного сигнала. Совместно с эквивалентным входным сопротивлением ЭП Rвх.экв конденсатор С1 образует RС-цепь которая не пропускает постоянный потенциал базы Uб в источник входного сигнала подавляет низкие частоты и пропускает высокие частоты.
Величина емкости конденсатора С1 определяется по формуле:
С1 расч.(12fсигнRвх)=12314808118=1810-6Ф
Рассчитанное значение емкости С1 будет соответствовать ослаблению входного сигнала в раз относительно сигнала на более высоких частотах. Поэтому для уменьшения ослабления входного сигнала расчетные значение емкости С1 увеличивается на 1-2 порядка (в 10-100 раз).
Расчет коэффициента усиления.
1 Предварительный расчет емкости Сэ в цепи эмиттера по заданному значению статического коэффициента усиления Кu
2 Расчет фазового сдвига в эмиттерной цепи
3 Проверочный расчет модуля коэффициента усиления =2Пfсигн.
Условие выполнения задания: расчетное значение коэффициента усиления Кu должно быть не меньше заданного
РАСЧЕТ блока оптронной развязки
Исходными данными для проектирования БОР являются электрические параметры нагрузки (номинальные напряжение ток мощность или ее производные) а также параметры сигнала управления. Параметрами нагрузки определяется схема буферного устройства БОР а параметрами сигнала управления - схема блока управления фотоизлучателем оптопары.
Расчет электронных схем проводится в направлении «с выхода на вход».
Расчет буферного устройства
Дано: U=24B Iн=2.0A f=50Гц U=220B I=245A
Определяем номинальный ток ЭПК
Iн=PнUн PH=IHUH=242.0=48 Вт
В усилителе мощности диодной оптопары выбираем схему неинвертирующего ОУ. Данная схема имеет большое входное сопротивление (Rвх=109 1012 Ом) обеспечивая усиление фото-ЭДС в режиме холостого хода фотодиода. В качестве ОУ применяем микросхемы например типа К I40 УД14 АБВ).
Определяем необходимый коэффициент усиления тока составного транзистора на элементах VT2 и VT3. Принимаем выходной ток ОУ К 140 УД 14 .
Выбираем выходные транзисторы VT2 и VT3 исходя из следующих соображений. Реальный коэффициент усиления составного транзистора Р=12 где 1 2 - соответствующие коэффициенты усиления тока базы транзисторов VT2 и VT3 . При выборе транзисторов необходимо чтобы расчетное значение коэффициента передачи тока базы Р было не меньше заданного значения 0. При этом следует учесть что маломощные транзисторы имеют высокий коэффициент передачи тока базы (=20100) но малое допустимое значение коллекторного тока. С другой стороны мощные транзисторы имеют коэффициент = 10 20 а коллекторный ток может достигать для некоторых типов (например КТ 819) нескольких ампер. Поэтому в составном транзисторе целесообразно первый (входной) транзистор выбирать меньшей мощности а оконечный (выходной) - большой мощности.
При выборе транзисторов в усилителе мощности необходимо выполнить условия:
максимально допустимая мощность рассеиваемая на коллекторе составного транзистора Pk ma
максимально допустимое напряжение коллектор – эмиттер должно быть больше напряжения питания Е: .
С учетом изложенного выше выбираем транзисторы VT1VT2:
VT2- КТ315Г: 1 = 30; Ik ma Uкэ.ma
VT3- КТ819Г: 2 = 20; Ik ma Uкэ.max = 40 В.
Принимаем для расчета минимальные значения параметров: 1=25; 2= 20.
Определяем реальное значение коэффициента усиления по току Р и проводим сравнение с расчетным значением.
Р =1 2=2030=600; 0 =66666.
Поскольку параметр Р больше параметра 0 транзисторы VT2 и VT3 выбраны правильно.
Примечание. Параметры 1 и 2 могут выбираться не только по минимальным значениям. В принципе можно выбрать любое значение в заданном для транзистора диапазоне изменения данного параметра.
Для обеспечения насыщения составного транзистора (VT2 VT3) принимаем напряжение на выходе ОУ .
Выбираем тип оптопары.
Согласно задания выбираем диодную оптопару типа АОД 101Б
Технические характеристики оптопары типа АОД 101Б:
Коэффициент передачи по току К1=15%
Определяем отношение резисторов
Определяем величину резистора R2 в цепи отрицательной обратной связи ОУ.
Принимаем для расчета R1 = 10 кОм.
Определяется обратный ток оптопары
= К1 Iвх 1ОО = = 015мA.
Принимаем напряжение на выходе оптопары и определяем величину резистора R3=R5:
Определяем необходимый коэффициент усиления операционного усилителя (примем UR1=1В)
Определяем отношение резисторов R4R3
Определяем величину резистора R3 в цепи отрицательной обратной связи ОУ.
Округляем по стандарту получим R4=39 кОм
Определяем ток обратной связи Ioc через резисторы R3 и R4
Определяем управляющий транзистор VT1
Управляющий транзистор VT1 должен обладать коэффициентом передачи тока базы достаточным для получения номинального тока фотоизлучателя оптопары.
где I1 – ток «логической единицы» на выходе цифрового устройства блока управления
По справочнику определяем марку транзистора КТ 325В
Определяем мощность резисторов R1 R2 R3 R4
p1 =R1= (0022510-6)10103=22510-4 Вт;
p2 = R2= (0022510-6)30103=67510-4 Вт;
p3=P5 = I2ocR3= (0002510-6)20103=0510-4 Вт;
p4 = I2ocR4= (0002510-6)39103=0110-4 Вт.
Выбираем резисторы по ГОСТ
R1- ОМЛТ – 0125 - 10 к±5%;
R2- ОМЛТ – 0125 - 30 к±5%;
R3- ОМЛТ – 0125 - 20 к±5%.
R4- ОМЛТ – 0125 - 39 к±5%.
R5- ОМЛТ – 0125 - 20 к±5%.
РАСЧЁТ ПОЛОСОВЫХ ФИЛЬТРОВ
Избирательность ПФ характеризуется коэффициентом добротности
Wp = 2пFp = 2 * 3.14 * 10.1 = 63.42
Wв = 2пFв = 2 * 3.14 * 8.3 = 52.12
Wн = 2пFн = 2 * 3.14 * 0.92 = 5.7
В = (Wв – Wн) = 52.12 -5.7 = 46.42 кГц
Q = WpB = 63.42 46.42 = 1.36
Для узкополосных фильтров Q>10 для широкополосных Q10.
Расчёт резонансного фильтра с добротностью Q10.
C1 = С2 = С = 0.068 мкФ
Расчитываем значения резисторов R1 R2 R3
R2 = R34Q2 – 2Kр = 47 Ом
Расчет источников электропитания
Теоретические сведения
Обобщенная структура источника электропитания
В общем случае ИЭП включает в себя блок первичного электропитания (БПЭП) и блок вторичного электропитания (БПВП) (см. рисунок 4.1). Первый блок состоящий из силового трансформатора (ТР) выпрямителя (В) и сглаживающего фильтра (СФ) образует нестабилизированный источник питания на выходе которого формируется напряжение Енест. Стабилизатор напряжения (СТ) соответствующий БПВП дополнительно сглаживает пульсации напряжения Енест и обеспечивает при необходимости регулирование выходного напряжения Uн на заданной нагрузке (Н). При низких требованиях к уровню пульсаций выпрямленного напряжения (например при питании управляющих обмоток электромагнитного вибратора) сглаживающий фильтр и стабилизатор в структуре ИЭП могут отсутствовать.
Структурная схема стабилизированного ИЭП
Дано:u=24B - нестабилизированный;
U=5B - стабилизированный;
Выберем тип трансформатора в соответствии с заданием
Номинальная мощность 31Bт;
Ток первичной обмотки 034019A;
Номинальный ток вторичных обмоток 050A.
1Расчет нестабилизированного источника питания
Выпрямитель - мостовой
Дано: Uo=24B Io=0.5A KП=015 fc=50Гц
Выбор электрической схемы выпрямителя.
Электрическая схема выпрямителя зависит от параметров нагрузки и конструкции трансформатора. В частности при использовании силового трансформатора со средней точкой во вторичных обмотках целесообразно применять симметричную схему выпрямителя а при отсутствии средней точки - мостовую схему.
Выпрямительные диоды выбираются по максимально допустимым значениям обратного напряжения на диодах Uобр.max. и прямого (выпрямленного) тока Iпр.max. Эти параметры определяются из соотношений
I пр .max. (3 5) Iн.max3*5=15 (A)
U обр.max. (3 5) U2m3*1.4*20=85 (B)
где Iн.ma U2m= амплитуда переменного напряжения на вторичной обмотке трансформатора (на входе выпрямителя); U2 эффективное значение напряжения на вторичной обмотке трансформатора.
В соответствии со значениями I и U выберем тип диода КД202Д.
1Расчет обратного напряжения на вентилях
2 Расчет среднего прямого тока Iср=0.5*Io=0.5*5=2.5 (А)
3Расчет амплитудыт прямого тока через вентиль
Im=3.5*Io=3.5*5=17.5 (A)
Расчет сопротивления нагрузки Rн:
Rн = U0 I0=125=2.4 (Ом)
Сопротивление обмотки трансформатора rтр зависит от мощности нагрузки Рн. Для мощности Рн10Вт принимают rтр =(007 01) Rн а для для Рн=10 100 Вт rтр =(005 008) Rн.
rTP=(005 008)RH=00524=12
Расчет прямого сопротивления вентиля rпр:
rпр = Uпр 3Iср=13*25=0133 (Ом)
где Uпрпрямое падение напряжения на открытом вентиле (pnпереходе) которое определяется по прямой ветви вольтамперной характеристики (обычно принимают Uпр1 В).
Расчет активного сопротивления фазы rф схемы выпрямителя
rф= rтр +2 rпр=12+2*0.133=1.466(Ом)
Расчет коэффициента А =1.6*rф*Rн=1.6*1.4662.4=0.98
Расчет по номограммам коэффициентов
B=17 Д=183 F=0.9 H=1400
Uобр= 14U2 Im.= 05FI0
Определение по формулам эффективных значений напряжения на вторичной обмотке трансформатора в режиме холостого хода U2xx и тока I2 в режиме нагрузки.
U2xx=B*Uo=1.7*12=20.4
U2 I2=D*Io2=1.8*52=6.4
Расчет коэффициента пульсаций Кп =015
Определение емкости С1 на выходе выпрямителя (входной емкости сглаживающего фильтра)
C1=HKп*rф=14000.15*1.466=6367
Из стандартного ряда выберем С1= 6200 мкФ
где сопротивление rф и емкость С1 измеряются в Ом-ах и микрофарадах соответственно а параметр Н определяется по графику.
2Расчет пассивного сглаживающего фильтра
Исходные данные: RH=10 OM
Выбор электрической схемы фильтра
Электрическая схема сглаживающего фильтра определяется требуемым коэффициентом сглаживания q выпрямленного напряжения. Данный параметр определяется выражением
где Кп0 Кп1соответственно коэффициенты пульсаций на входе и на выходе фильтра для ИЭП систем управления Кп015.
Расчет элементов RCфильтра.
1. Для частоты f=50 Гц коэффициент сглаживания q RCфильтра рассчитывается по формуле
q = mR1C1(R1+Rн)Rн.10-3;
где m=4 -число фаз выпрямителя;
R1сопротивление фильтра Ом;
С2емкость фильтра мкФ;
Rн сопротивление нагрузки Ом.
2. Сопротивление фильтра R1 выбирают исходя из заданного КПД фильтра по формуле:
R1 = Rн(1-)=(Ом);R1=12(Ом)
3. Емкость С2 фильтра рассчитывается по формуле
При =08 емкость С2 (в микрофарадах) рассчитывается по формуле
С2 = 16000 q m Rн=(мкФ)
Расчет стабилизированного источника питания
Дано: Uo=5B Io=5A KП=015 fc=50Гц
Электрическая схема выпрямителя зависит от параметров нагрузки и конструкции трансформатора. В частности при использовании силового трансформатора со средней точкой во вторичных обмотках целесообразно применять симметричную схему выпрямителя а при отсутствии средней точки - мостовую схему .
I пр .max. (3 5) Iн.max3*5=1.5 (A)
U обр.max. (3 5) U2m(B)
1 Расчет обратного напряжения на вентилях Uобр =Uo*1.5=5*1.5=7.5(B)
2 Расчет среднего прямого тока Iср=0.5*Io=0.5*5=2.5 (А).
3 Расчет амплитуды прямого тока через вентиль
Rн = U0 I0=50.5=10 (Ом).
rTP=(005 008)RH=00510=05(Ом).
rпр = Uпр 3Iср=13*2.5=0.133 (Ом)
rф= rтр +2 rпр=05+2*0.133=0.766(ОМ)
Расчет коэффициента А =1.6*rфRн=1.6*0.7661=1.2256
Расчет по номограммам коэффициентов:
B=18; Д=18; F=0.9 H=1600
U2xx=B*Uo=1.8*5=9 (B) I2=D*Io2=1.8*52=0.64 (А)
Расчет коэффициента пульсаций Кп =015.
Определение емкости С3 на выходе выпрямителя (входной емкости сглаживающего фильтра):
C3=HKп*rф=16000.15*0.766=1925 (мкФ)
где сопротивление rф и емкость С3 измеряются в Ом-ах и микрофарадах соответственно а параметр Н определяется по графику постандартному ряду выберем С3=2200мкФ
4Расчет пассивного сглаживающего фильтра
Исходные данные: RH=1 OM
Электрическая схема сглаживающего фильтра определяется требуемым коэффициентом сглаживания q выпрямленного напряжения. Данный параметр определяется выражением:
1. Для частоты f=50Гц коэффициент сглаживания q RCфильтра рассчитывается по формуле:
q = mR2C4(R1+Rн)Rн.10-3
где m=4 - число фаз выпрямителя;
R2 сопротивление фильтра Ом;
С4 емкость фильтра мкФ;
3. Емкость С4 фильтра рассчитывается по формуле:
При =08 емкость С4 (в микрофарадах) рассчитывается по формуле:
С4 = 16000 q m Rн=(мкФ)
По стандартному ряду выберем С4=3900(мкФ).
Расчет стабилизатора К142 ЕН3 K142 EH4
Стабилизаторы напряжения
В тех случаях когда уровень пульсаций выпрямленного напряжения на выходе сглаживающего фильтра не удовлетворяет требованиям нагрузки применяют стабилизаторы напряжения (тока). При мощности нагрузки Рн меньшей либо равной 25 Вт используют компенсационные стабилизаторы напряжения (КСН) а при Рн большей 25 Вт импульсные стабилизаторы напряжения (ИСН).
Компенсационные интегральные стабилизаторы
Стабилизаторы напряжения в интегральном исполнении выпускаются в виде микросхем серии К 142 ЕН1 6 8 9. В электрических схемах последних предусмотрена защита от короткого замыкания на выходе а также возможность подключения дополнительного регулирующего транзистора (транзисторов) для увеличения нагрузочной способности стабилизатора.
Расчет стабилизатора К142 ЕН34 проводится в следующей последовательности.
Элементы делителя R1 R2 задают ток выключения микросхемы Iвыкл равный (1 2) мА при напряжении выключения Uвыкл равном 2В
IВыкл=15 mA UВыкл=2 В
(R3+R4)= Uвыкл Iвыкл=
Коэффициент передачи Кд делителя R3 R4 выбирается таким чтобы на резисторе R2 сформировался потенциал д = (06 08) В
Кд = R4(R3+R4) = д Uвыкл=
Величины резисторов определим R1 R2 уравнений
Из стандартного ряда выберем: R1=3(Ом) R2=18(Ом)
Мощность резисторов R3 R4 зависит от выбранных параметров Uвыкл Iвыкл:
P3= (Iвыкл)2 .R3=1523=675
P4= (Iвыкл)2 .R4=15218=405
Корректирующий конденсатор С5=001мкФ.
Выходной делитель R6 R7 должен обеспечить ток Iд=2 мА при коэффициенте передачи Кд=R7(R6+R7)=009
Резистор защиты R3 рассчитывается по формуле
Из стандартного ряда выберем Rз=R3=047(Ом)
Величина конденсатора фильтра С6 выбираются из условия:
C5=001(мкФ) C2=01(мкФ) fп=017
R6=046 по стандартному ряду R6=047
R7= по стандартному ряду выберем R7=047 (Ом)
В ходе данной курсовой работы были спроектированы и рассчитаны:
- Блок питания со стабилизированным и нестабилизированным напряжениями;
- Блок оптронной развязки;
- Транзисторный усилитель с общим коллектором.
Для них составили принципиальные электрические схемы выполненные в графической части настоящей работы в соответствии с требованиями ГОСТ-ов и ЕСКД.
Согласно ЕСКД по проектированию электрических схем после окончания их расчета составляется перечень элементов принципиальной электрической схемы (по аналогии со спецификацией механических устройств).
Для составления перечня элементов проектируемого усилителя элементы его принципиальной схемы необходимо пронумеровать с использованием буквенно-цифровой системы обозначений принятой в ГОСТ.
С конденсаторы; D микросхемы; DA аналоговые микросхемы;
DD цифровые микросхемы.
L индуктивности; R резисторы;
VD полупроводниковые диоды; VT транзисторы.
Нумерация элементов принципиальной схемы осуществляется в направлении «сверху вниз» и «слева направо».
Алексенко А.Г. Шагурин И.И. Микросхемотехника.-М.: Радио и связь 1982.-416 с.
Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. -Л.: Энергоатомиздат 1988. - 304 с.
Кофлин Р. Дрискол Ф. Операционные усилители и линейные интегральные схемы. -М.: Мир 1979. - 360 с.
Терещук Р.М. Терещук К.М. Седов С.А. Полупроводниковые приемно - усилительные устройства: Справочник радиолюбителя. -К.: Наукова думка 1989. - 800 с.
Титце У. Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. – М.: Мир 1982. – 512 с.
Хоровиц П. Хилл У. Искусство схемотехники т.1 – М.: Мир. 1984. – 598 с.
Шило В.Л. Линейные интегральные схемы. – М.: Советское радио 1979. – 366 с.

ЛИСТ.frw

титульник.docx

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ
СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра Автоматизированных приборных систем
Пояснительная записка к курсовой работе
по дисциплине «Электроника»
Студент группы: П-31д

ЛИСТ.dwg

Ммкросхема К 140УД14
Резисторы ГОСТ2.7028-74
Транзисторы ГОСТ2.730-73
Конденсаторы ГОСТ11076-69
ТранзисторыГОСТ2.730-73