Расчет и проектирование усилителя мощности

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ.pdf

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ
Макс. напр. к-э при Макс.
зад. токе к-ра и зад. к-ра
Макс. допустимый ток
Статич. коэф-т частота
коэфпередачи тока та передачи
Макс. напр. к-э Макс. напр. к-э
при зад. токе к- при зад. токе кра и зад. сопр. в ра и разом. цепи
Статич. коэф-т Граничная частота
передачи тока коэф-та передачи
к-б при задан. при зад. токе к- при зад. токе к-ра
обр. токе к-ра и ра и зад. сопр.
разом. цепи э. В в цепи б-э. В
при зад. токе ктоке к-ра и разом. ра и зад. сопр. в
Статич. коэфГраничная
при зад. токе к- Макс. допусти- т передачи
частота коэфра и разом. цепи мый ток к-ра А
при зад. токе к-ра при зад. токе к-ра Макс. допусти- коэф-т перек-ра и разом. цепи и зад. сопр. в цепи
частота коэфта передачи
к-ра и разом. цепи и зад. сопр. в цепи
Макс. допустимый коэф-т переток к-ра А
частота коэфтока h21э

Чертеж1 Образец.cdw

Электрическая принципиальная

ZX КП сборка.doc

РОЗРАХУНОК ПДСИЛЮВАЧА ПОТУЖНОСТ 10
1 Розрахунок вихідного
2 Розрахунок каскаду попереднього
3 Розрахунок вхідного
5 Розрахунок потужності та вибір
Схемотехніка – науково-технічний напрямок що охоплює проблеми
проектування та дослідження електронних пристроїв радіотехніки і зв’язку
обчислювальної техніки автоматики та інших галузей техніки. Основна задача
схемотехніки – синтез (визначення структури) електронних схем що
забезпечують виконання певних функцій і розрахунок параметрів елементів
На основі електронної схеми створюється відповідний пристрій (що входить
до складу деякої технічної системи). До пристрою висувається вимога
надійної роботи на протязі заданого часу в реальних умовах виробничого
розкиду параметрів елементів та їх старіння впливу зовнішньої середи тощо.
Через це при розробці схем поряд з розрахунком номінальних значень
параметрів елементів необхідно розраховувати експлуатаційні допуски на них
передбачати в схемі засоби що підвищують надійність пристрою (забезпечують
стійку роботу схеми при зовнішньому впливі) а також дозволяють
контролювати його працездатність.
Елементною базою для створення електронних пристроїв слугують дискретні
електро- та радіоелементи (резистори конденсатори діоди транзистори та
ін.) та інтегральні мікросхеми (С). Якщо електронна схема реалізується у
вигляді С або декількох С то говорять про мікросхемотехніку” під якою
розуміють галузь мікроелектроніки пов’язану з проектуванням С. Крім
синтезу і розрахунку електронних схем мікросхемотехніка вирішує задачу
розробки на основі електронних схем структури (топології) С. Основні етапи
розробки: розрахунок геометричних розмірів елементів С; раціональне
розміщення елементів на поверхні чи в об’ємі підложки С; знаходження
оптимальних з’єднань елементів. Так як створення нової С – комплексна
проблема то її вирішують спільно спеціалісти з мікросхемотехніки фізики
технологи конструктори використовуючи комплексні дослідно-теоретичні
матеріали в тому числі моделювання на ЕОМ як самої схеми так і умов її
Теоретичною базою схемотехніки є теорія лінійних та нелінійних
електричних кіл електродинаміка математичне програмування теорія
автоматів та ін. При створенні електронних схем перспективно використання
методів проектування з використанням ЕОМ.
КОРОТК ТЕОРЕТИЧН ВДОМОСТ
сторично склалося так що в транзисторних підсилювачах низької частоти
(ПНЧ) для узгодження вхідного опору транзисторних каскадів з опором джерела
вхідного сигналу та вихідного опору каскадів з низьким опором навантаження
використовувались трансформатори. Від якості використовуваних
трансформаторів залежала якість звуковідтворення. Конструктивно
трансформатори були складні і мали високу вартість при цьому маса та
розміри залишались досить великими. Тому логічним бажанням фахівців було
замінити трансформатори на якісь інші елементи або розробити нові схеми
підсилювальних каскадів. Поява потужних біполярних транзисторів та
електролитичних конденсаторів великої ємності призвела до можливості
розробки потужних ПНЧ без трансформаторів що дало можливість суттєво
зменшити нелінійні частотні фазові та перехідні викривлення.[12]
Схема одного з варіантів безтрансформаторного підсилювача потужності
наведена на рисунку 2.1. До переваг наведеної схеми можна віднести живлення
підсилювача від одного джерела живлення підключення навантаження незалежно
від загальної” точки схеми використання однотипних транзисторів у
вихідному каскаді. Підсилювач потужності складається з трьох каскадів:
- вихідного каскаду (на транзисторах VT4 VT5);
- каскаду попереднього підсилення (на транзисторах VT2 VT3);
- вхідного каскаду (VT1).
Вихідний каскад є двотактним створений на транзисторах VT4 VT5
однакового типу провідності (р-n-р) які працюють в режимі АВ. Для
керування вихідним каскадом такого типу потрібно на його входах мати два
сигнали зрушені один від одного по фазі на 180 ел.град. Це досягається за
рахунок використання каскаду попереднього підсилення на комплементарних
транзисторах VT2 VT3 різного типу провідності — VT2 (р-n-р) VT3 (n-р-n)
який є фазоінверсним каскадом. За допомогою резисторів R4 R5
забезпечується початкове зміщення робочих точок на характеристиках
транзисторів VT4 VT5 у режимі спокою (при відсутності сигналу на вході
підсилювача). Транзистори VT2 VT3 також як і транзистори вихідного
каскаду працюють в режимі АВ.
Рисунок 2.1 — Схема безтрансформаторного
підсилювача потужності
Якщо провести розглядання схеми з іншого боку” то транзистори VT2 VT4
утворюють подвійний емітерний повторювач (квазікомплементарний каскад
Дарлінгтона) а транзистори VT3 VT5 — еквівалентну n-p-n структуру (схема
Шіклаї).[234] Незважаючи на неоднаковість побудови схемних частин
підсилювача асиметрія не призводить до появи значних нелінійних викривлень
внаслідок присутності від’ємного зворотного зв’язку. Температурна
компенсація складених транзисторів забезпечується за рахунок
терморезистора RK з від’ємним ТКС (замість терморезистора можливе
використання прямо-зміщеного р-n переходу тобто одного або декількох
діодів) крізь який протікає струм емітеру транзистору VT1.
Вхідний каскад підсилювача виконаний на транзисторі VT1 по схемі зі
спільним емітером який працює у режимі А. Резистор R3 в емітерному
ланцюзі транзистору є елементом від’ємного зворотного зв’язку який
забезпечує стабільність робочої точки незмінність характеристик при зміні
транзистору та підвищує вхідний опір каскаду [5]. Резистори R1 R2 задають
початкове зміщення робочої токи на характеристиках VT1 у режимі спокою.
Конденсатор С1 забезпечує відділення постійної складової вхідного сигналу.
Резистор R6 є ланцюгом послідовного зворотного зв’язку по живленню. [2]
Для відділення навантаження від постійної складової на виході
підсилювача встановлено конденсатор С2. Цей конденсатор може мати досить
велику ємність і зазвичай є електролітичним. За рахунок попереднього
зміщення транзисторів вихідного каскаду (режим АВ). конденсатор С2
заряджений до напруги [pic] а в цьому разі напруга в точці А” схеми яка
зображена на рисунку 1.1 становить відносно загальної” точки величину
[pic]. Слід також зазначити що величина напруги на колекторі транзистору
VT1 відносно загального” точки буде складати майже величину [pic].
У наступному розділі наведена методика розрахунку підсилювача яка
базується на [6]. Для засвоєння методики розрахунку та більш чіткого
сприйняття виконання розрахункових дій а також подальшого захисту
курсового проекту студентам рекомендується проробити відповідні розділи у
[1457]. Також для виконання розрахунків потрібна довідникова література
в якості якої рекомендовані [8910]. Всі рекомендовані до використання
джерела представлені в електронному форматі в мережі нтернет для
безоплатного використання або можуть бути отримані в електронному вигляді у
РОЗРАХУНОК ПДСИЛЮВАЧА ПОТУЖНОСТ
Вихідні дані до розрахунку підсилювача потужності наведені у таблиці 1.1
та містять наступні величини:
Pн — потужність навантаження Вт;
Rн — опір навантаження Ом;
Mн— коефіцієнт нелінійних викривлень на низьких частотах в.о.;
Mв — коефіцієнт нелінійних викривлень на високих частотах в.о.;
fн — нижня частота підсилюваного сигналу Гц;
fв — верхня частота підсинюваного сигналу Гц;
Таблиця 1.1 Вихідні дані
Pн Вт Rн Ом Mн= Mв fн Гц fв Гц
Згідно зі схемою наведеною на рисунку 1.1 підсилювач потужності
складається з трьох каскадів:
- вхідного каскаду виконаного по схемі підсилювача з спільним
- каскаду попереднього підсилення виконаного по схемі фазоінверсного
- вихідного двотактного каскаду (VT4 VT5).
Розрахунок підсилювача виконується покаскадно у зворотній послідовності
та має таку структуру:
- розрахунок вихідного каскаду;
- розрахунок каскаду попереднього підсилення;
- розрахунок вхідного каскаду;
- обрання елементів схеми.
1 Розрахунок вихідного каскаду
Амплітуда змінної складової напруги на навантаженні дорівнює амплітуді
змінної складової на колекторі транзистора VT4
Для розрахунку величини напруги джерела живлення (ДЖ) треба визначити
величину залишкового падіння напруги колектор-емітер” на транзисторі
кінцевого каскаду. Це визначення виконується по вихідним статичним
характеристикам для схеми спільний емітер (СЕ) орієнтованого транзистору
для вихідного каскаду таким чином щоб робоча точка не виходила в нелінійну
частку характеристики. Орієнтовно можна вважати що залишкова напруга в
залежності від ступеню насичення складає [pic]В. [7]
Тоді напруга джерела живлення
Амплітуда змінної складової струму колектора транзисторів вихідного каскаду
Для подальших розрахунків треба попередньо обрати тип транзисторів
вихідного каскаду. Це треба зробити за наступними величинами:
- амплітудою змінної складової струму колектора [pic] (при обранні
транзистора за струмом треба враховувати що при відсутності змінної
складової є початковий струм колектора для реалізації режиму класу
- напругою колектор-емітер яка дорівнює [p
- потужністю розсіювання на колекторі (буде розрахована і перевірена
За вказаними розрахунковими даними обираємо кремнієвий транзистор p-n-p
типу КТ818А з наступними параметрами :
- потужність розсіювання з тепловідводом [pic]
- постійний струм колектора [pic]
- постійна напруга колектор-емітер [pic]
- за вказаною в довіднику [9] залежністю коефіцієнта передачі струму бази
в схемі СЕ від струму колектора транзистора [pic] знаходимо величину
[pic] приймаючи що максимальне значення струму колектора дорівнює
амплітуді змінної складової струму колектора. Тоді за графіком
зображеним на рисунку 3.1 для струму [p [pic].
Рисунок 3.1 — Залежність статичного коефіцієнта передачі струму
від струму колектора
) Обчислимо амплітуду змінної складової струму бази
) Для реалізації роботи вихідного каскаду в режимі класу АВ треба задати
початкове значення струму бази транзистора 4 тим самим завдаючи початковий
струм колектору. Як відомо з [7] для зменшення нелінійних викривлень треба
таким чином змістити вхідні характеристики транзисторів вихідного каскаду
щоб результуюча вхідна характеристика мала майже лінійний вигляд. Однак
бажання вийти на початок лінійної частки вхідної характеристики транзистора
призводить до суттєвого збільшення втрат та зниження коефіцієнта корисної
дії каскаду. Окрім того ліквідувати нелінійні викривлення тільки зміщенням
характеристик неможливо тому схема підсилювача має від’ємний зворотній
За рекомендаціями вказаними у [4711] обираємо струм колектору спокою
таким щоб він дорівнював зворотному струму колектор-емітер обраного
транзистору. Зворотній струм база-колектор для КТ818А знаходимо з [9]
(обираємо найбільшу величину яка відповідає більшій температурі) — при
температурі 100°С дорівнює [pic]А. Перераховуючи в струм колектор-емітер
Отримана величина узгоджується з критеріями іі вибору вказаному у [4].
) Розраховуємо струм бази спокою
) Середнє значення струму який споживається від джерела живлення
) Потужність яка споживається вихідним каскадом при номінальній
потужності у навантаженні
) Потужність розсіювання на колекторі одного транзистору вихідного
Перевіряємо потужність розсіювання на колекторі обраного транзистору КТ818А
— за довідниковими даними вона становить 60 Вт при установці транзистора на
охолоджувач тому вважаємо що тепловий режим роботи транзистора не
) За вхідною характеристикою транзистора визначаємо його диференційний
вхідний опір на робочому участку. Для цього проводимо дотичну до участку
де присутня змінна складова сигналу та обчислюємо зміни напруги база-емітер
та струму бази за графіком.
Відмічаємо на характеристиці (рисунок 3.2) струм бази спокою [pic] і
додаємо до нього амплітуду змінної складової [pic]. По точках перетину
знаходимо напругу бази спокою [pic] та амплітуду змінної складової напруги
Рисунок 3.2 — Вхідна характеристика КТ818
та величини базових струмів і напруг
) Визначаємо опір резисторів на яких утворюється падіння напруги у
режимі спокою транзисторів вихідного каскаду.
З ряду Е24 обираємо номінальну величину опору що дорівнює 22 Ом.
) Уточнюємо значення змінної складової вхідного струму вихідного
каскаду з урахуванням шунтуючої дії резисторів R4 та R5:
) Таким чином розрахунок вихідного каскаду закінчено отримані дані для
розрахунку проміжного каскаду. Струм бази спокою транзистора кінцевого
каскаду дорівнює [pic] змінна складова вхідного струму кінцевого каскаду
2 Розрахунок каскаду попереднього підсилювання
Визначаємо струм колектора спокою для транзисторів VТ2 і VТ3 який
складається зі струму бази спокою VТ4 та струму через резистор R4 (рисунок
Рисунок 3.3 — Частина схеми до пояснення розрахунку струму спокою
Амплітуда змінної складової струму колектора VТ2 дорівнює амплітуді змінної
складової базового струму VТ4:
Амплітуда змінної складової напруги на колекторі транзистора VT2:
Середній струм який споживається від джерела живлення каскадом
попереднього підсилювання:
Потужність яка споживається каскадом попереднього підсилювання при
номінальній потужності у навантаженні
Потужність розсіювання на колекторі одного транзистору каскаду попереднього
За розрахованими даними обираємо транзистори каскаду попереднього
підсилення. Найбільш поширені вітчизняні комплементарні пари транзисторів —
КТ361-КТ315 КТ814-КТ815 КТ816-КТ817 КТ818-КТ819. Вибір транзисторів як
і в попередньому випадку виконується за струмом колектору напругою
колектор–емітер та потужністю розсіювання. За розрахованими даними обираємо
комплементарну пару КТ814-КТ815; ці транзистори мають однакові параметри а
відрізняються лише типом провідності.
Параметри транзистору КТ814A визначаємо з [9]:
амплітуді змінної складової струму колектора. Тоді за графіком зображеним
на рисунку 2.1 для струму [pic] приблизно знаходимо [pic].
Рисунок 3.4 — Залежність статичного коефіцієнта передачі струму
Струм бази спокою VT2
Амплітуда змінної складової струму бази VT2
) За вхідною характеристикою транзистора з [9] визначаємо відповідні
величини напруг на базі транзистору VТ2 у режимі спокою та при наявності
змінної складової. Вхідна характеристика та відповідні побудови наведені на
Відмічаємо на характеристиці струм бази спокою [pic] і додаємо до нього
амплітуду змінної складової [pic]. По точках перетину знаходимо напругу
бази спокою [pic] та амплітуду змінної складової напруги на базі [pic].
Рисунок 3.5 — Вхідна характеристика КТ814
3 Розрахунок вхідного каскаду
) При виконанні розрахунку вхідного каскаду треба обрати транзистор VT1
та розрахувати елементи для забезпечення режиму його роботи. Для
забезпечення режиму транзистору VТ1 за постійним струмом потрібно задати
для нього струм колектору спокою [pic] та відповідно напругу колектору
спокою [pic]. Згідно зі схемою та з урахуванням того що напруга на
колекторі VТ1 відносно загальної” точки дорівнює майже [pic] напруга
спокою [pic] має дорівнювати:[pic]
Резистор [pic] в даному випадку виконує функцію елемента від’ємного
зворотного зв’язку який забезпечує стабільність режиму спокою при зміні
температури з одного боку та значно зменшує залежність режиму роботи
каскаду при заміні транзистора. [5]
Для обмеження негативної дії від’ємного зворотного зв’язку треба обмежити
падіння напруги на резисторі [pic] на рівні не більше [pic].
Оскільки каскад живиться від напруги [pic] приймаємо
) Оскільки напруга [pic] дорівнює напрузі [pic] можемо розрахувати
) Струм колектору спокою має бути більше ніж амплітуда змінної складової
вихідного струму каскаду (відповідно це амплітуда змінної складової струму
бази VT2 [pic]). Далі треба орієнтовно обрати транзистор VТ1. Для
попереднього вибору максимальне значення струму колектору транзистору можна
прийняти десь [pic]. За отриманою величиною струму та напругою на колекторі
[pic] обираємо транзистор КТ361В.
Параметри транзистору КТ361В визначаємо з [9]:
Струм колектору покою розрахуємо за наступною формулою
) Перераховуємо у струм бази; коефіцієнт підсилення [pic] обираємо з [9]
по залежності від струму емітера або для вказаного транзистору знаходимо
[pic] з рисунку 3.6 на якому приведена приблизна залежність коефіцієнту
h21э від струму емітера яка може бути використана для студентських
розрахунків невеликої точності; також враховується той факт що у першому
наближенні у даному випадку струм емітера приблизно дорівнює струму
Рисунок 3.6 —Приблизна залежність коефіцієнту h21э від струму емітера
) Перерахуємо змінну складову струму колектора у струм бази:
) Тоді мінімальне і максимальне значення струму бази ВТ1 відповідно:
На вхідній характеристиці транзистору з [8] відмічаємо розраховані точки
та знаходимо величини відповідних напруг — напруга бази спокою [pic]
Рисунок 3.7 — Вхідна характеристика КТ361
) Таким чином величина резистору R3:
) Розраховуємо вхідний дільник напруги що задає потенціал зміщення на
базі VТ1 у режимі спокою. Задаємо струм дільника напруги виходячи з
міркувань наведених у [7]
Тоді величина резистору R2:
Величина резистору R1:
Опір паралельно з’єднаних резисторів R1 та R2
Вхідний опір транзистору визначаємо за вхідною характеристикою
(лінеаризуємо ВАХ; приблизне пояснення та побудова зображені на рисунку
Рисунок 3.7а — Вхідна характеристика КТ361
та пояснення до розрахунку вхідного опору
Тобто у першому наближенні можна сказати що вибирається така точка на
потрібній (робочій) ділянці ВАХ щоб дотична до неї (до точки) при зміщенні
методом паралельного переносу зєднувала кінцеві точки з координатами [pic]
та [pic] тоді можна знайти прирощення струму та напруги:
Вхідний опір каскаду з урахуванням R3:
Загальний вхідний опір каскаду (з урахуванням вхідного дільника):
) Величина резистору R6
) Величина падіння напруги на резисторі R6
Падіння напруги на терморезисторі
При цьому струм через терморезистор
Замість терморезистора у схему підсилювача з урахуванням невимогливого
технологічного процесу та еквівалентності наслідку можна внести кілька
послідовно зєднаних діодів щоб на них отримати розраховане падіння
напруги при розрахованому струмі.
Обираємо діод КД103А. За його вольт-амперною характеристикою визначаємо
що при струмі 6.46мА 6.5мА падіння напруги на ньому складає 0.415В;
приблизна ВАХ даного діода та пояснення приведені на рисунку 3.7б.
Рисунок 3.7б — Приблизна ВАХ діода КД103А
Таким чином кількість послідовно з’єднаних діодів дорівнює:
4 Розрахунок конденсаторів
Загальні частотні викривлення [pic] треба розподілити по конденсаторах
які є в підсилювачі. Розподіл виконуємо рівномірно.
Оскільки опір транзисторів вихідного каскаду значно менший опору
навантаження то при розрахунку конденсатора С2 опором транзисторів можна
знехтувати. Тоді ємність конденсатору
Отримана величина узгоджується з теоретичними відомостями оскільки
вихідна ємність повинна бути досить великою.
Обираємо конденсатор С1 — МБГЧ-1 4мкФх250В С2 — К50-37 2200мкФх100В.
Розрахуємо вплив транзисторів на частотні викривлення. Знаходимо з
довідника [9] граничну частоту передачі струму для транзисторів VТ4 и VТ2.
Для транзисторів КТ818 та КТ814 гранична частота дорівнює 3МГц. Звідси
Частотні викривлення для транзисторів
Тоді частотні викривлення які вносять вихідним каскадом
5 Розрахунок потужності та вибір резисторів
Потужність яка виділяється у резисторі залежить від його опору та
ефективного значення струму що протікає крізь резистор:
Отже для розрахунку втрат потужності у резисторах та їх вибору треба
визначити струми які протікають крізь відповідні резистори. При
визначенні треба проаналізувати струми які протікають у режимі спокою
каскаду (режим по постійному струму) та у робочому режимі (режим по
змінному струму) та виконати відповідне поєднання.
) Крізь резистор R1 протікає струм який дорівнює сумі струм дільника
[pic] та струму бази спокою транзистора VТ1 [pic]. Цей струм не змінюється
при появі змінної складової. Тоді потужність у R1:
Обираємо резистор С2-23-0.125 33кОм±5%.
) Крізь резистор R2 протікає струм дільника [pic]. Цей струм не
змінюється при появі змінної складової. Тоді потужність у R2
Обираємо резистор С2-23-0.062 2.7кОм±5%.
) Струм у резисторі R3 складається зі струму колектору спокою ВТ1
[pic](можна вважати що струм емітера дорівнює струму колектора) та змінної
складової струму колектора VТ1 [pic]. Форма струму наведена на рисунку 3.8.
Рисунок 3.8 — Форма струму у резисторі R3
Для обчислення ефективного значення струму використовуємо визначення з
курсу теорії електричних кіл та розраховуємо у пакеті Mathcad з графічним
поясненням (далі на рисунку 3.8а):
Це ефективне значення струму можна зобразити на рисунку 3.8а штриховою
горизонтальною лінією.
Рисунок 3.8а — Форма струму у резисторі R3 та рівень ефективного струму
Розраховуємо потужність у резисторі R3:
Обираємо резистор С2-23-0.062 270Ом±5%.
) Крізь резистор R4 у режимі спокою протікає струм який дорівнює
різниці струму спокою колектору VT2 та струму бази спокою VT4. При появі
змінної складової крізь резистор протікає струм який утворюється є
різницею змінної складової струму колектору VT2 та струму бази VT4. Форма
струму та ефективне значення струму наведені на рисунку 3.9 і отримані за
Тоді ефективний струм дорівнює:
Рисунок 3.9 — Форма струму у резисторі R4
) Розраховуємо потужність у резисторі R4:
Обираємо резистор С2-23-0.25 22Ом±5%. Резистор R5 обираємо такий же.
) Крізь резистор R6 у режимі спокою протікає струм колектору транзистору
VT1 [pic]. Оскільки R6 є елементом зворотного зв’язку можна вважати що
при появі змінної складової на навантаженні напруга на обох його кінцях
змінюється однаково що не призводить до появи складової струму від змінної
складової. Отже потужність у резисторі R6 дорівнює
Обираємо резистор С2-23-0.25 2.61кОм±2%.
АСхТ. Методичні вказівки до курсового проектування. «Електронні
системи»сост. А.В Таранець – Запоріжжя; ЗГА 2010.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М.:
Энергия 1967 — 615с. ил.
Синельников А.Х. Бестрансформаторные транзисторные усилители низкой
частоты. — М.: Энергия 1969 — 56с. ил.
Хоровиц П. Хилл У. Искусство схемотехники: В 2-х т. Пер. с англ. —
Изд. 3-е стереотип. — М.: Мир 1986.
Цыкин Г.С. Усилительные устройства.— М.: Связь 1971 — 367с. ил.
Горбачев Г.Н. Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника: Учебник для
вузов Под ред. В.А. Лабунцова. — М.: Энергоатомиздат 1988 — 320с. ил.
Аналоговая схемотехника. Методические указания по курсовому
проектированию для студентов специальности 7.090803 “Электронные
системы”сост. В.И. Тараканов Н.Е. Дубровина – Запорожье; ЗГИА 2003г. –
Забродин Ю.С. Промышленная электроника: учебник для вузов . —
М.:Высш.школа 1982 — 496с. ил.
Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд.
перераб. и доп. — К.: Техніка 1984 — 424с. ил.
Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник Под общ. ред.
Н.Н. Горюнова. — 2-е изд. перераб. —М.: Энергоатомиздат 1985 — 904с. ил.
Галкин В.И. и др. Полупроводниковые приборы. Справочник В.И.Галкин
А.Л. Булычев. В.А. Прохоренко — 2-е изд. перераб. и доп. — Минск: Беларусь
Справочник по расчету электронных схем Б.С. Гершунский — Киев: Вища
школа 1983 — 240с. ил.
Схемотехніка електронних систем: У 3 кн. Кн..1. Аналогова
схемотехніка та імпульсні пристрої: Підручник В.. Бойко А.М. Гуржій
В.Я.Жуйков та ін. — 2-ге вид. допов. і переробл. — К.: Вища школа 2004 —