• RU
  • icon На проверке: 21
Меню

Конструкция диаграммобразующей схемы на основе микрополосковой линии

  • Добавлен: 24.01.2023
  • Размер: 545 KB
  • Закачек: 0
Узнать, как скачать этот материал

Описание

Конструкция диаграммобразующей схемы на основе микрополосковой линии

Состав проекта

icon
icon
icon спецификация2 лист А4.cdw
icon Розетка.cdw
icon Крышка А3.cdw
icon Колпачёк А4.cdw
icon Сборочный А 3.cdw
icon Плата делителя А1.cdw
icon спецификация 1лист А4.cdw
icon Корпус А3.cdw
icon КП по СВЧ.docx

Дополнительная информация

Контент чертежей

icon спецификация2 лист А4.cdw

спецификация2 лист А4.cdw
Диаграммобразующая схема
Припой ПОС-61 ГОСТ 21931-76
Лак ФЛ-582 ТУ6-10-1236-74
Краска ЭП-572 чёрная

icon Розетка.cdw

Розетка.cdw
Все размеры для справок
Сопротивление изоляции между токоведущей жилой втулкой или вилкой
кабельной должно быть не менее 500 Мом.
Остальные требования по ОСТ 4.ГО.070.015

icon Крышка А3.cdw

Крышка А3.cdw
*. Размеры для справок.
Неуказанные предельные отклонения размеров:
Отверстия сверлить совместно с деталью "Корпус
Покрытие внешней поверхности: Эмаль МЛ-165
Маркировать краской ЭП-572
шрифт 5 по НО.010.014
. Общие технические требования по ОСТ 4.ГО.070.014

icon Колпачёк А4.cdw

Колпачёк А4.cdw
*Размеры для справок.
Неуказанные предельные отклонения размеров:
отверстий по валов по остальные
Литейные радиусы 1мм.
Общие технические требования по ОСТ 4.ГО.070.014

icon Сборочный А 3.cdw

Сборочный А 3.cdw
Транспортировочная крышка
*Размеры для справок.
Паять ПОС 61 ГОСТ 21930-76
поз.7 стопорить по НГО.019.001
Общие технические требования ОСТ4.ГО.070.015.
Диаграммообразующая схема

icon Плата делителя А1.cdw

Плата делителя А1.cdw
* Размеры для справок
Плату изготовить фотохимическим методом.
Металлизацию плоскости Б сохранить
на плоскости В удалить
химическим способом.
Плата должна соответствовать ОСТ4 010.000 - 78
Предельное отклонение между осями двух любых отверстий
Размеры рисунка платы выполнять с точностью
Координаты точек рисунка приведены в таблице.
Остальные технические требования по ОСТ4 ГО.070.015

icon спецификация 1лист А4.cdw

спецификация 1лист А4.cdw

icon Корпус А3.cdw

Корпус А3.cdw
* Размервы для справок.
Неуказанные предельные отклонения размеров отверстий по H14j валов по h14j
Покрытие внешней поверхности Эмаль МЛ-165
Отверстия сверлить совместно с деталью "Крышка".
Общие технические требования по ОСТ 4.ГО.070.015 и ОСТ 4.ГО.005.051

icon КП по СВЧ.docx

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра радиоэлектронных и телекоммуникационных систем.
Пояснительная записка
к курсовому проекту по дисциплине: “УСВЧ и АФУ”
Конструкция диаграммобразующей схемы на основе микрополосковой линии
Руководитель: ассистент
Анализ задания и обоснование выбранного варианта
Заключение и список использованной литературы
Спецификация к сборочному чертежу
КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (КАИ)
Кафедра радиоэлектронных и телекоммуникационных систем.
на курсовой проект по дисциплине: «УСТРОЙСТВА СВЧ И АНТЕНЫ».
Конструкцию диаграммообразующей схемы на основе микрополосковой линии:
) Число излучателей 5;
) Уровень боковых лепестков -15дБ;
) Угол наклона главного лепестка ;
Конструкционное исполнение моноблок
Содержание основной части проекта:
)Выбор типа делителя.
)Расчёт топологии делителя.
Конструкторская часть проекта:
)Разработать конструкцию ДОС;
)Выполнить сборочный чертёж;
)Выполнить чертежи четырёх – шести деталей.
Содержание пояснительной записки:
)Анализ задания и обоснование выбранного варианта;
)Описание работы ДОС;
)Результаты расчётов (рисунки графики таблицы);
)Заключение и список использованной литературы;
)Спецификация к сборочному чертежу (в виде Приложения к записке).
Срок окончания работы – 15 декабря. Защита проекта – до 25 декабря.
В диапазон СВЧ микроэлектроника начала внедряться в последнюю очередь примерно в середине 60-х годов. В первую очередь это связано с трудностью создания твердотельных СВЧ активных приборов. Кроме того при проектировании и разработке СВЧ микроэлектронных устройств необходимо учитывать очень многие факторы обусловленные малыми размерами узлов концентрацией сильных полей в малых объемах наличием цепей паразитной связи взаимодействием близко расположенных элементов трудностью отвода тепла требованиями к точности изготовления и однородности материалов.
При проектировании микроэлектронной аппаратуры СВЧ диапазона редко удается разделить электрический расчет схемы разработку конструкции и даже технологию изготовления. Как правило это единый процесс.
Для определения параметров микроэлектронного узла СВЧ строго говоря необходимо решать граничную задачу электродинамики. Однако даже для регулярных микрополосковых линий не говоря уже о сложных СВЧ узлах граничные поверхности имеют сложно форму и волновые уравнения разрешить не удается. Отсюда вытекают требования создания приближенных теорий различных степеней приближения.
Несмотря на все эти трудности в развитии микроэлектроники СВЧ диапазона на сегодня имеются заметные успехи. Уже применяются различные твердотельные генераторы и приемники СВЧ. Широкое развитие получили различные микрополосковые устройства: сложные тракты питания делители мощности направленные ответвптели и мостовые схемы частотно-избирательные и невзаимные устройства фазовращатели многоканальные коммутаторы и другие узлы радиоаппаратуры СВЧ диапазона. Широко ведутся работы по созданию полностью микроэлектронных РЛС аппаратуры радиопротиводействия связных систем и т. д.
Развитию интегральной техники СВЧ диапазона предшествовало освоение полосковых линий передачи появление тонкопленочной гибридной технологии и разработка твердотельных активных СВЧ приборов особенно бескорпусных.
Стремление к снижению массы и габаритов аппаратуры привело к развитию техники печатного монтажа. В диапазоне СВЧ появились симметричная и несимметричная полосковые линии с воздушным и диэлектрическим заполнением. Они хорошо переносят ударные нагрузки и вибрацию просты в изготовлении их производство можно автоматизировать. Конструкция этих линий позволила применить фотогравирование при изготовлении сложных СВЧ узлов.
Широкое распространение получили многолучевые антенны (МА) с излучающей частью в виде решетки. В состав МA с излучающей частью в виде решетки входит так называемая диаграммообразующая схема (ДОС) соединяющая все излучатели решетки со всеми входами антенны. В настоящее время известны различные типы ДОС: параллельные последовательные реактивные с тепловыми потерями матричные и т.д. Разработаны ДОС для различных типов решеток (линейная плоская кольцевая и т.д.) разных диапазонов рабочих частот и с разными требованиями к характеристикам направленности лучей. Наиболее распространенными являются две схемы: схема с параллельной разводкой питания излучателей называемая матричной схемой Батлера или сокращенно матрицей Батлера (рис.1 а) и схема с последовательной разводкой называемая матрицей Бласса (рис.1 б).
Матрица Батлера собирается на основе трехдецибельных направленных ответвителей (мостов) и статических (фиксированных) фазовращателей и используется для решеток с бинарным числом излучателей: . Решетка формирует семейство N лучей симметричных относительно нормали. Развязка между входами обеспечивается свойствами мостовых соединений при согласовании излучателей и остальных частей тракта. В матрице Батлера имеется мостов и фазовращателей.
В матрице Бласса используется большее число направленных ответвителей согласованные нагрузки вносящие дополнительные потери и питающие линии различной длины. Различные фазовые распределения для парциальных лучей в ДОС Бласса (последовательного типа) реализуются за счет разных углов наклона горизонтальных линий передач (см. рис.1 б). Матрица Бласса позволяет использовать различное число излучателей и спадающие к краям амплитудные распределения а также уменьшать по сравнению с матрицей Батлера число входов. Существуют различные модификации ДОС последовательного и параллельного типов. Так модифицированная ДОС Бласса устраняет согласованные нагрузки уменьшает длину линий передач путем включения фазовращателей (рис.1 в).
Частным случаем МА является линейная решетка излучателей. Диаграммобразующая схема такой решетки состоит из делителя мощности с направленным распределением поля на выходе.
В современных антенных системах в СВЧ измерительной технике и в ряде других случаев часто применяются микрополосковые делители мощности. Делителями мощности называют многополюсные устройства предназначенные для распределения мощности поданной на вход между другими входами в заданное соотношение.
Уровень боковых лепестков
Угол наклона главного лепестка
Конструктивное исполнение
Входное сопротивление
Необходимо разработать конструкцию диаграммообразующей схемы на основе микрополосковой линии. Схема состоит из делителя мощности на основе микрополосковой линии с направленным распределением поля на выходе.
Делителями мощности называют многополюсные устройства предназначенные для распределения мощности поданной на вход другими входами в заданном соотношении. В устройствах без потерь сумма входных сигналов равна сумме выходных. В общем случае делители должны удовлетворять требованиям:
)деление сигнала в заданном соотношении;
)согласование всех плеч;
)развязка выходных плеч;
Простейшим делителем мощности является разветвление линии передачи. Разветвление может быть последовательным (рис.2а) и параллельным (рис.2 б).
Рис.2. Типы разветвления линии передачи.
На полосковых линиях реализуются только разветвления параллельного типа.
В качестве диаграммобразующей схемы могут использоваться Т и Y-образные разветвление кольцевые схемы мостов резистивные делители мощности. Мы же будем использовать топологию изображенную на (Рис.3).
Рис. 3. Делитель типа «гребёнка»
С помощью каскадного включения данного типа делителя можно делить мощность в принципе на любое число каналов в нашем случае на 5 каналов. Так как у нас распределение мощности по каналам неравномерное то данный вид делителя будет самым удобным.
Далее определимся с диэлектрическими материалами и проводниками микрополосковой линии.
При эксплуатации микрополоскового узла на него воздействуют как внешние факторы приводящие к отказам по причинам не зависящим от самой аппаратуры так и внутренние зависящие от особенностей работы аппаратуры.
К внешним факторам относятся климатические и механические воздействия а также электромагнитные излучения. Последние могут вызвать намагничивание приводящее к изменению выходных параметров изменению электрических свойств материалов местному или другому виду нагрева. К внутренним факторам относятся режимы работы процессы старения. В зависимости от режима работы в аппаратуре возникают различные перенапряжения резкие изменения тока из-за переходных процессов.
Так как у нас частота равна 900МГц то размеры платы получатся большими поэтому в качестве диэлектрического материала возьмем фольгированный фторопласт-4 (ФФ-4) который предназначен для изготовления СВЧ-плат больших размеров. Данный материал обладает хорошими характеристиками такими как высокая плотность химическая стойкость тепло- и морозостойкость низкий коэффициент трения малые диэлектрические потери высокая стабильность параметров в диапазоне частот и температур. К недостаткам наверное можно отнести высокую стоимость.
Проводники как правило необходимо выполнять из металлов с малым удельным сопротивлением. Мы же остановимся на меди.
Для того чтобы разработать ДОС необходимо:
)задать волновое сопротивление тракта и выбрать – диэлектрическую постоянную материала подложки поддерживающей микрополосок;
)рассчитать размеры нессиметричной микрополосковой линии;
)рассчитать амплитудное распределение поля делителя в зависимости от уровня боковых лепестков;
)рассчитать коэффициенты деления мощности и составить матрицу рассеяния;
)в соответствии с полученными коэффициентами мощности рассчитать топологию делителя.
Основные параметры выбранных материалов:
Удельное электрическое сопротивление
В большинстве случаев достаточно чтобы толщина проводника в МПЛ составляла 3-5 глубин проникновения токов (скин-слоев). Мы же возьмем МПЛ с фольгированной поверхностью в процессе изготовления толщиной t=005мм. Толщину диэлектрика h выберем равной 2мм. Нессиметричная микрополосковая линия представлена на рис.4.
Рис. 4 Нессиметричная микрополосковая линия.
С помощью каскадного включения делителей показанных на рисунке 5 получим:
Рис.5 Схема включения делителей.
Работа данного делителя основана на том что мощность сигнала на входе распределяется между плечами делителя в зависимости от их сопротивления. Таким образом система уравнений для определения волновых сопротивлений участков делителя выглядит так:
Чтобы найти сопротивление четвертьволновых трансформаторов можно воспользоваться следующими формулами:
Данный делитель мощности - с параллельным разветвлением линии передачи следовательно необходимо пользоваться следующей формулой:
где - мощности отводимые во i-ое и в j-ое плечо - волновые сопротивления i-ого и j-ого плеча - коэффициент деления по мощности.
Отсюда получаем что:
Таким образом сопротивления всех проводников находятся по вышеуказанным формулам.
Представим наш делитель в виде многополюсника следующего вида:
Рис.6 Представление делителя в виде многополюсника.
Тогда его можно охарактеризовать матрицей рассеяния следующёго вида:
В идеальном случае элементы главной диагонали = 0 т.е. отражения от входов устройства нет.
Сначала определим длину волны и расстояние между плечами. Их можно найти по формулам:
По заданной частоте находим длину волны в свободном пространстве:
Найдем длину волны распространяющейся в линии передачи:
Определим расстояние между излучателями.
При расчёте ширины ДН линейной решётки при отклонении луча от нормали вводится понятие эквивалентной длины решётки.(рис.4)
При увеличении угла отклонения эквивалентная длина уменьшается а ширина ДН согласно формулам (2. табл. 2.1) увеличивается.
В двумерной плоской решетке при отклонении главного максимума от направления нормали к раскрыву в какой-либо плоскости можно считать что ширина ДН изменяется тоже только в этой плоскости; это утверждение тем точнее чем больше размеры решетки.
Рис.7. Эквивалентная длина антенной решетки.
Далее найдем амплитудное распределение в плечах. Для этого мы используем заданный нам уровень боковых лепестков равный -15 дБ. Для уровня боковых лепестков -158 дБ что обеспечивает более меньший уровень боковых лепестков чем заданное характерен следующий закон изменения амплитуды поля (5. табл. 2.1):
где x – координата каждого из излучателей Δ – значение амплитудного пьедестала и для уровня боковых лепестков -158 дБ Δ=08. Из вышеуказанной формулы получим:
Из нашего амплитудного распределения найдем коэффициенты деления мощности . Для этого проведем нормировку. Получим:
Рис. 8. Амплитудное распределение в плечах.
Найдем фазовые набеги в каждом плече делителя по формуле где угол наклона главного лепестка волновое число а d – нормированное расстояние между соседними излучателями.
Находим фазовый набег:
Далее найдем сопротивления каждого полоска всего их 21 (Рис.5). Некоторые из них а именно волновые сопротивления на входе и выходе уже заданы и равны из условия что МПЛ должна быть согласована по входу и выходу с коаксиальной линией. Для нахождения всех остальных сопротивлений воспользуемся формулами (1)-(3).
Для упрощения расчета возьмем тогда и .
Так как следовательно четвертьволновый трансформатор Z14 вообще не нужен и схема примет вид( Рис.9).
Рис. 9. Схема включения делителей после расчёта сопротивлений полосков.
Далее необходимо найти ширину проводников от которых зависит сопротивление линии. Значения ширины проводников можно найти по следующим формулам:
По вышеуказанным формулам можно найти выражение через которое можно определить ширину полоски.
Данная работа намного упрощается если воспользоваться специализированными программными продуктами. Мы же будем рассчитывать ширину полоски в программном продукте «Microwave Office 2000».
Сведения о характеристиках материалов микрополосковой линии содержатся в окне TXLine(Калькулятор линии передачи). Здесь вводя параметры линии можно получить ширину полоски W и эффективную диэлектрическую проницаемость . На Рис.10 показан один из примеров ввода и расчёта заданных параметров при помощи калькулятора линии передачи.
Рис.10 Окно калькулятора линии передачи при
Таким образом мы получили:
Волновое сопротивление Ом
Для построения самой диаграммобразующей схемы нам не хватают значения длин проводников которые зависят от эффективной диэлектрической проницаемости последняя же зависит от ширины полоска w (4).
Формула нахождения длины i-го полоска выглядит следующим образом:
где - длина волны в линии
длина волны в линии м
По полученным данным можем построить саму диаграммобразующую схему в рабочем окне Microwave Office она выглядит следующим образом(см. Рис11. или Приложение 1)
Рис.11 Вид диаграммобразующей схемы в рабочем окне Microwave Office
Путём несложных операций в Microwave Office можно получить общий вид проектируемого делителя мощности. (Рис.12)
Рис.12Общий вид делителя
Также легко в Microwave Office можно получить коэффициенты деления которые представлены в рисунке 9. Как видим в 4-ое плечо ответвляется наибольшая часть мощности поданная на вход в 3-ье и 5-ое - чуть меньшее значение а во 2-ое и в 6-ое минимальная часть.
Рис.13 Коэфициэнты деления
В идеальном случае элементы главной диагонали = 0 т.е. отражения от входов устройства нет. В нашем же случае матрица рассеяния имеет вид:
Теперь имея все численные значения и учитывая все выдвинутые ранее требования мы можем преступить к непосредственной разработке платы и корпуса нашего делителя.
Сначала определимся с размером платы возьмем ее равной 335×205мм. Расстояние между выводами должно быть кратно 15мм мы же возьмем 39 мм. Так как длины всех выводов разные а нам необходимо расположить их по одной линии то следует с помощью изгибов свести их к определенной длине пусть это будет 1343мм. В местах изгибов сделаем зеркальные отражатели. Делаются они следующим образом:
Разработку платы и корпуса нашего делителя а также все чертежи и конструкторскую документацию будем производить в программе «КОМПАС 3D-V8».
Нам удалось решить задачу деления мощности между излучателями в антенной решётке. Получившееся устройство делит мощность на заданной частоте в заданном соотношении имеет малые потери. Устройство включается посредством коаксиальных кабелей с сопротивлением 75Ом.
Габаритные размеры:361х231х39 мм.
Устройство выполнено из легкосплавных материалов и покрыто эмалью что позволяет сохранить его от коррозии и попадания посторонних предметов внутрь корпуса.
Список использованной литературы
Авксентьев А. А. Воробьев Н. Г. Морозов Г. А. Стахова Н. Е. Устройства СВЧ для радиоэлектронных систем: Учебное пособие. Казань: Изд-во Казан. гос. Техн. Ун-та 2004. 96с.
Антенны и устройства СВЧ:Проектирование фазированных антенных решёток. Под. ред. Воскресенского Д. И. Москва: Радио и связь 1981 432 с.
Малорацкий Л. Г. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ. Москва: Советское радио 1976. С.164-170
Справочник по расчёту и конструированию СВЧ полосковых устройств. Под. ред. Вольмана В. И. Москва: Радио и связь 1982. С.188-189
Фельдштейн А. Л. Явич Л. Р. Смирнов В. П. Справочник по элементам волноводной техники: Издание 2-е переработанное и дополненное. Москва: Советское радио 1967. С.214-230
Документ Чертеж D:ЖеняУчёбаСВЧ АнтеныЖеня ДОСПлата делителя А1.cdw
f = 83° 18' 32.481909" (83.309023°)
f = 83° 26' 22.880435" (83.439689°)
f = 69° 20' 50.344271" (69.347318°)
f = 69° 53' 31.371020" (69.892048°)
f = 68° 23' 9.546896" (68.385985°)
f = 58° 33' 14.498076" (58.554027°)
f = 56° 31' 41.151800" (56.528098°)
f = 60° 20' 16.530984" (60.337925°)
f = 54° 18' 7.909826" (54.302197°)
f = 51° 38' 50.377098" (51.647327°)
f = 50° 56' 5.424931" (50.934840°)
f = 43° 52' 16.243805" (43.871179°)
f = 42° 10' 40.265529" (42.177852°)
f = 36° 34' 17.616528" (36.571560°)
f = 34° 51' 40.388947" (34.861219°)
f = 30° 28' 3.300697" (30.467584°)
f = 28° 56' 16.581434" (28.937939°)
f = 26° 8' 54.384688" (26.148440°)
f = 25° 23' 44.453615" (25.395682°)
f = 25° 41' 48.183169" (25.696718°)
f = 3° 2' 14.913867" (3.037476°)
f = 3° 3' 27.420917" (3.057617°)
f = 28° 24' 21.549109" (28.405986°)
f = 20° 55' 7.536656" (20.918760°)
f = 20° 59' 16.362228" (20.987878°)
f = 3° 26' 53.163756" (3.448101°)
f = 3° 29' 26.940533" (3.490817°)
f = 12° 42' 12.044910" (12.703346°)
f = 12° 45' 59.214345" (12.766448°)
f = 21° 19' 28.822693" (21.324673°)
f = 21° 23' 42.200125" (21.395056°)
f = 29° 7.540939" (29.002095°)
f = 32° 31' 13.436192" (32.520399°)
f = 24° 16' 44.764143" (24.279101°)
f = 24° 22' 14.897531" (24.370805°)
f = 4° 4' 11.329594" (4.069814°)
f = 4° 7' 45.933466" (4.129426°)
f = 14° 56' 17.168004" (14.938102°)
f = 15° 1' 29.568314" (15.024880°)
f = 24° 49' 7.226097" (24.818674°)
f = 24° 54' 44.934853" (24.912482°)
f = 33° 18' 39.973203" (33.311104°)
f = 37° 59' 15.838536" (37.987733°)
f = 28° 53' 45.236034" (28.895899°)
f = 29° 1' 21.387248" (29.022608°)
f = 4° 58' 49.358560" (4.980377°)
f = 5° 4' 11.509465" (5.069864°)
f = 18° 9' 4.304846" (18.151196°)
f = 18° 16' 41.057246" (18.278071°)
f = 29° 38' 35.102528" (29.643084°)
f = 29° 46' 24.199454" (29.773389°)
f = 38° 59' 18.991382" (38.988609°)
f = 44° 58' 8.069002" (44.968908°)
f = 35° 17' 32.156557" (35.292266°)
f = 35° 19' 17.876420" (35.321632°)
f = 6° 25' 29.969211" (6.424991°)
f = 6° 34' 20.327297" (6.572313°)
f = 22° 51' 9.267953" (22.852574°)
f = 22° 52' 8.140806" (22.868928°)
f = 35° 57' 40.528418" (35.961258°)
f = 35° 59' 26.955432" (35.990821°)
f = 45° 42' 48.898731" (45.713583°)
up Наверх