Испытатель Маломощных Транзисторов

корпус.cdw

Все размеры для справок.
Монтаж вести согласно схеме принципиальной электрической.
Паять припоем ПОС-61ГОСТ21931-76.
Остальные технические требования по ОСТ4ГО.070.015.
ИСПЫТАТЕЛЬ МАЛОМОШНЫХ

ДОРОЖКИ.cdw

* Размер для справок
Плата должна соответствовать ГОСТ23752-79
Класс точности 2 по ГОСТ 23751-86
Шаг координатной сетки 1 мм
Параметры отверстий в таблице.
Надпись выполнить шрифтом 2 по ОСТ 4Г0.010.007 методом изготовления платы.
Остальные технические требованияя по ОСТ 4Г0.070.014
ИСПЫТАТЕЛЬ МАЛОМОШНЫХ
Стеклотекстолит Сф-2-35-1

элементы.cdw

* Размер для справок.
Монтаж вести согласно схеме электрической пинципиальной
Элементы устанавливать поГОСТ 29137-91
- элементы устонавлиать по варианту 010
Паять припоем ПОС-61 ГОСТ 21931-76.
Маркировка элементов показана условно.
Покрытие: лак ФЛ-582б бесцветныйб ТУ 6-10-1236-74
в два слоя с двух сторон платы.
Остальные технические требованияя по ОСТ 4Г0.070.015
Испытатель маломошных
Сборочный чертеж ФУ

(5)Перечень элементович.cdw

ИСПЫТАТЕЛЬ МАЛОМОШНЫХ
%х16В ОЖО.460.137 ТУ
К140УД212 бКО.348.025ТУ01
Резистор переменный ВК-680к
ТУ11-АБШК.434110.023 ТУ-89
КС133А ТТИ.660.016.ТУ
КД510А УФО.336.006ТУ
КТ315Б ЖЗК.365.200 ТУ
Батарея GP24A4-9B " Крона
КС21-45П ВРО.364.010. ТУ

СХЕМА ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ.cdw

Спецификация.cdw

Испытатель маломошных
Схема электрическая принципиальная
%х16В ОЖО.460.137 ТУ
К140УД212 бКО.348.025ТУ01
КТ315Б ЖЗК.365.200 ТУ
КС133А ТТИ.660.016.ТУ
КД510А УФО.336.006ТУ

СПЕЦИФИКАЦИЯ(КОРУС).cdw

Схема электрическая принципиальная
Испытатель маломошных
Стаандартные изделия
Резистоор Переменный
ТУ11-АБШК.434110.023ТУ-89
Лак ФЛ-582б бесцветный
Краска маркировочнаяМКЭ4

пояснительная записка.doc

КАЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
«Испытатель Маломощных Транзисторов»
по курсу: «Основы конструирования
Принял преподаватель:
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА.
Испытатель маломощных транзисторов
Испытатель предназначен для проверки работоспособности биполярных транзисторов и измерении коэффициента передачи тока базы h12э. Он позволяет обнаруживать замыкания или обрывы в транзисторах распознать их структуру проводимости. Диапазон измерения статического коэффициента передачи составляет 10 690 измерение проводится при фиксированных значениях напряжения между коллектором и эмиттером (4 5 В) и тока коллектора (25 35 мА).
В отличие от аналогичных устройств прибор имеет более широкий диапазон измерения отсутствуют моточные узлы и переключатель структуры транзистора что упрощает его изготовление и эксплуатацию. Испытатель может быть использован для проверки диодов любой мощности на обрыв и замыкание выводов а также для определения выводов анода и катода.
Прямоугольные импульсы противофазной полярности частотой около 3 Гц с генератора G1(точки А и Б)поступают в одну диагональ измерительного моста образованного элементами R1R2VD2 и испытываемым транзистором VT1.Другая диагональ ( точки В и Г) подключена к входу компаратора DA1. Принцип измерения статического коэффициента передачи тока базы VT1 основан на фиксации момента равенств напряжений в точках В и Г при измерении тока базы резистором R1. В этом случае токи в цепях коллектора и базы VT1 будут обратно пропорциональны величинам сопротивлений резисторов R1 и R2 т.е. h21э=IkIб=R1R2 .
Ток коллектора Ik определяется величиной резистора R2. При значении R2=1кОм величину статического коэффициента передачи тока отсчитывают непосредственно по шкале резистора R1проградуированной по значению сопротивления в килоомах в конкретном положении подвижного контакта. Подключение к измерительному мосту микросхемы DA1 с большим входным сопротивлением (десятки мегаом) влияние на режим измерения не оказывает.
Напряжение между коллектором и эмиттером VT1в момент измерения h21э равно сумме напряжений стабилизации стабилитрона VD2 и величины падения на переходах база-эмиттер VT1 и составляет в данной схеме 4.0 5.0 В . Смена полярности испытательного напряжения в совокупности с применением симметричных стабилитронов позволяет проверять транзисторы любой структуры без дополнительной коммутации в схеме.
Стабилитрон VD1 предназначен для фиксации потенциалов в точках В и Г при протекании тока через транзистор или его обрыве. С помощью светодиодов HL1 и HL2 индицируется состояние выходов генератора G1и компаратора DA1. Нетрудно проследить что для транзистора любой структуры при малых значениях сопротивления R1 (VT1близок к насыщению ) уровни напряжений на этих выходах изменяются синфазно и ни один из светодиодов не горит . о же самое происходит при подключении транзистора с пробитым переходами независимо от положения движка резистора R1.
При плавном увеличении сопротивления R1 наступает момент. Когда компаратор перестает переключаться. Для транзистора структуры n-p-n на выходе компаратора этому соответствует низкий уровень напряжения (мигает светодиод HL1) для p-n-p высокий уровень (мигает светодиод HL2). Потенциалы точек В и Г измерительного моста при этом близки и по отношению R1 и R2 определяю статический коэффициент передачи h21э .
При наличии обрывов в проверяемых транзисторах либо отключении их от измерительной схемы поочередно мигаю два светодиода.
Прямоугольные импульсы формируются симметричным мультивибратором на транзисторах VT1-VT4обладающим повышенной нагрузочной способностью транзисторных ключей .Цепочки VD2VD3 и VD4-VD9 являются аналогами симметричных стабилитронов с напряжениями стабилизации соответственно около 2В и 45В при токах 0005 5мА. Применение низковольтных стабилитронов типов КС133А КС147А неприемлимо из-за их слабого эффекта стабилизации при токах менее 3 мА . Компаратор выполнен на микромощном ОУ К140УД212. Конденсаторы C3C4 устраняют паразитные мерцания светодиодов возникающее из-за различной скорости переключения мультивибратора и компаратора.
При испытании полупроводниковых диодов их подключают к гнездам “Э” и “К” разъема XS1. Если диод исправен и его анод соединен гнездом “К” то мигает светодиод HL1 если с гнездом “Э” мигает HL2. при подсоединении пробитого диода либо с внутренним обрывом поведении в светодиодов HL1 и HL2 соответствует подключению транзисторов с аналогичными дефектами.
Вместо рекомендованных полупроводниковых приборов можно использовать любые транзисторы серий КТ315. КТ342 диодов Д310 Д312КД102А(VD1VD10) и КД510А (VD6-VD9) светодиоды АЛ307 (HL1HL2).Конденсаторы могут быть типов К50-6 К53-1А(C1C2) и КМ-6(C3C4). Постоянные резисторы типа МЛТ. Резистор R7 необходимо подобрать с отклонением от номинала не более 1% либо применить типов С2-23 С2-29. Перемененный резистор R5 -типа ВК-а с функциональной характеристикой В. Для повышения точности отсчета показаний можно применить два последовательно соединенных резистора например номиналами 680кОм и 100 кОм при этом необходимо суммировать показания шкал обоих резисторов.
Разъем XS1 может быть любого типа конструкционно-удобного для подключения испытуемых транзисторов. Источник питания -батарея “КРОНА” или “КОРУНД”.
Правильно собранный прибор налаживания не требует. Градуировку шкалы резистора R5 производят омметром с учетом сопротивления резистора R6.
Работоспособность испытателя сохраняется при снижении напряжения питания до 7В при этом ток коллектора проверяемого транзистора при измерении h21э снижается до 10 15мА.
Ток потребляемый устройством от батареи напряжением 9В не превышает 12мА.
В заключении следует отметить что испытатель не боится короткого замыкания между входными гнездами.
Расчёт площади печатной платы.
Размеры платы выбираем по ОСТ 4.010.020-83
Которые составляют 50х60 мм.
Список используемой литературы
Журнал «Радио» №10 2006.
Справочник конструктора РЭА. Общие принципы конструирования. Под ред. Р.Г. Варламова. М.: Сов. радио 1980 480с.
Лавренов О.П. Гулин В.И. Методические указания по выполнению пояснительной записки к курсовому проекту. Казань. КАИ 1988 23с.
Резисторы: Справочник. Под ред. И.И. Четверикова. М. Радио и связь 1990 145с.
Разработка и оформление конструкторской документации РЭА. Справочник. Под ред. Э.Т. Романычева М.: Радио и связь 1989 448с.
Сапаров В. Е. Максимов П. А. Системы стандартов в электросвязи и радиоэлектронике. М.: Радио и связь 1985 248 с.
Полупроводниковые приборы. Диоды тиристоры оптоэлектронные приборы. Справочник. Под редакцией И.Н. Горюнова. М. Энергоатомиздат. 1993 704с.