Топологические чертежи
Топологические чертежи определяют ориентацию и взаимное расположение элементов и контактов ИС на подложке, а также форму и размеры пленочных элементов и соединений между ними. Геометрическая форма пленочных элементов по возможности должна быть простой, так как это упрощает их производство, увеличивает точность изготовления и надежность.
Топологический чертеж пленочной ИС выполняют в масштабе 10:1 или 20:1. При разработке чертежа необходимо учитывать методы получения элементов схемы и очередность нанесения слоев. Как правило, в целях лучшего теплоотвода резистивные пленки располагают на поверхности подложки, затем — проводящие пленки межсоединений или обкладки конденсаторов, далее изолирующие пленки. При выполнении топологических чертежей используют условные обозначения типов слоев. Резистивный слой изображают площадками с точечным фоном; проводники, контактные площадки, обкладки конденсаторов заштриховывают тонкими линиями с углом наклона к контуру чертежа 45°, различая их между собой направлением и частотой штриховки. Диэлектрический слой ограничивают штрихпунктирной линией (ГОСТ 2.306-68*).
На рис. 8.5 приведен пример выполнения топологического чертежа платы гибридной тонкопленочной ИС. Для построения топологического чертежа использована схема электрическая принципиальная, приведенная на рис. 8.6. На схеме изображены все элементы и компоненты и электрические связи между ними по ГОСТ 2.702-75. Перечень элементов помещен на первом листе в виде таблицы.
На топологическом чертеже изображена плата после нанесения последнего слоя. Условные обозначения слоев и их технические характеристики помещены в табл. 1 на поле чертежа. Внешним контактным площадкам присвоены порядковые номера, которые проставлены условно по часовой стрелке, начиная с нижней левой площадки; внутренним площадкам также присвоены номера. Пассивные пленочные элементы обозначены в соответствии с электрической принципиальной схемой. Местоположение навесных элементов (микротранзисторов) показано метками в виде уголка на резистивном слое.
По топологическому чертежу платы разрабатывают чертежи слоев микросхемы по элементам (резисторы, проводники, контактные площадки, обкладки конденсаторов, диэлектрики и т.п.).
На рис. 8.7 приведен чертеж резистивного слоя, оформленный последующим (вторым) листом. Он выполнен в том же масштабе, что и чертеж платы. Размеры и расположение пленочных элементов заданы координатным способом. Каждому элементу присвоено буквенно-цифровое обозначение по топологическому чертежу. Вершины прямоугольников последовательно пронумерованы, начиная с левого нижнего угла по часовой стрелке в пределах чертежа. Таблица координат составлена в порядке возрастания; в ней приведены координаты всех вершин. На последующих листах топологического чертежа изображаются отдельные слои.
На плату ИС устанавливают навесные элементы и компоненты в соответствии с принципиальной схемой. Такие платы оформляют как сборочные чертежи в соответствии с требованиями ГОСТ 2.109-73. На рис 8.8 приведен пример выполнения сборочного чертежа ИС. Он содержит изображение платы
с навесными элементами и сведения о соединении составных частей. Технические требования записаны в соответствии с установленными правилами.
Плата ИС (рис. 8.8) должна быть установлена в корпус, и для этого разрабатывается еще один сборочный чертеж «Микросхема гибридная» (рис. 8.9). Чертеж включает изображение ИС, размеры исполнительные и справочные, технические требования. В спецификации данного сборочного чертежа (рис. 8.10) отражен полный состав конструкторской документации на тонкопленочную гибридную ИС (ГИС).
