Технология и конструирование тонкопленочных ГИС

Kursovaya1.dwg

Герметизация лазерной сваркой
Посадка в корпус клеем холодного отверждения
Сплав Д16 ГОСТ 4784-97
Верхние обкладки конденсаторов
Диэлектрический слой
Нижние обкладки конденсаторов
Герметизация лазерной сваркой 2 Посадка в корпус клеем холодного отверждения

Kursachchch (1).docx

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
по курсу КП и ТП БИС и СБИС
«Технология и конструирование тонкопленочных ГИС»
Студент группы: ИТС-33
Список используемой литературы
1. Теоретические сведения
Интегральная микросхема (ИМС) – это конструктивно законченное изделие электронной техники выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ) изготовленных в едином технологическом цикле.
По способу изготовления различают полупроводниковые и пленочные ИМС.
в полупроводниковых ИМС все ЭРЭ и часть межсоединений сформированы в приповерхностном слое полупроводниковой (обычно кремниевой) подложки.
в пленочных ИМС пассивные ЭРЭ изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1мкм) или толстых (10-50 мкм) пленок нанесенных на диэлектрическую подложку.
Гибридные ИМС (ГИС) представляют собой комбинацию пленочных пассивных ЭРЭ с миниатюрными бескорпусными дискретными активными приборами (полупроводниковыми ИМС транзисторами диодами) расположенных на общей диэлектрической подложке.
ЭРЭ которые являются неотъемлемой составной частью ИМС и не могут быть выделены из нее как самостоятельное изделие называют элементами ИМС а дискретные активные ЭРЭ ГИС – навесными компонентами (или просто компонентами) подчеркивая тем самым что их изготовляют отдельно в виде самостоятельных приборов которые могут быть приобретены изготовителем ГИС как покупные изделия. В отличие от дискретных компонентов элементы ИМС называют интегральными (интегральный резистор интегральный диод).
Конструирование и технология тонкопленочных ГИС.
Подложки тонкопленочных ГИС
Подложки ГИС являются диэлектрическим и механическим основаниями для расположения пленочных и навесных элементов и служат для теплоотвода.
Для маломощных ГИС можно применять бесщелочные боросиликатные стекла С41-1 и С48-3 а также ситаллы. По сравнению с ситаллами стекла имеют меньшую теплопроводность что не позволяет использовать их при повышенных уровнях мощности. Ситалл имеет ряд преимуществ перед стеклами:
- он хорошо обрабатывается
- выдерживает резкие перепады температуры
- обладает высоким электрическим сопротивлением
- по механической прочности в 2-3 раза прочнее стекла.
Для мощных ГИС применяют керамику поликор а для особо мощных ГИС – бериллиевую керамику имеющую очень высокую теплопроводность.
Недостатком керамики является значительная шероховатость поверхности что затрудняет получение воспроизводимых номиналов тонкопленочных элементов. По этой причине керамику 22ХС используют только для толстопленочных ГИС. Увеличение класса чистоты обработки поверхности путем глазурования керамики слоем бесщелочного стекла приводит к значительному уменьшению теплопроводности.
В случаях когда требуется обеспечить хороший теплоотвод высокую механическую прочность и жесткость конструкции применяют металлические подложки: алюминиевые подложки покрытые слоем анодного оксида или эмалированные стальные подложки.
Материалы элементов тонкопленочных ГИС
Материалы резисторов
Для создания ГИС необходимы резистивные пленки с удельным поверхностным сопротивлением от десятков до десятков тысяч Ом на квадрат. Чем меньше толщина пленок тем выше но одновременно повышается ТКR а также ухудшается временная и температурная стабильность пленок.
В качестве резистивных материалов используют чистые металлы и сплавы с высоким диэлектрическим сопротивлением а также специальные резистивные материалы – керметы которые состоят из частиц металла и диэлектрика (например Cr и SiO). Широко распространены пленки хрома и тантала. На основе керметов получают высокоомные резисторы. Наиболее распространенный кермет в состав которого входят хром и моноокись кремния (50-90% Cr 50-10% SiO). В зависимости от содержания хрома можно получить резистивные пленки с удельным сопротивлением от сотен Ом на квадрат до десятков килом на квадрат обладающие высокой стабильностью. Однако в связи с тем что свойства керметных пленок в сильной степени зависят от технологических факторов резисторы имеют худшую воспроизводимость номиналов и больший ТКR по сравнения с металлическими. Наиболее часто используют сплавы РС-3001 РС-3710 (37.9% Cr 9.4% Ni 52.7% Si) МЛТ-3М (43.6% Si 17.6% Cr 14.1% Fe 24.7% W).
Материалы конденсаторов
Обкладки конденсаторов должны иметь высокую проводимость коррозионную стойкость технологическую совместимость с материалом подложки диэлектрика конденсатора: ТКЛР близкие к ТКЛР подложки и диэлектрика хорошую адгезию к подложке и диэлектрику высокую механическую прочность.
Наилучшим материалом для обкладок конденсаторов является алюминий который однако имеет плохую адгезию к подложке.
Материал диэлектрика должен иметь хорошую адгезию к подложке и материалу обкладок обладать высокой электрической прочностью и малыми потерями иметь высокую диэлектрическую проницаемость и минимальную гигроскопичность не разлагаться в процессе формирования пленок. В качестве диэлектрических материалов наиболее часто используют моноокиси кремния и германия.
Материалы проводников и контактных площадок
Они должны иметь малое удельное сопротивление хорошую адгезию к подложке высокую коррозионную стойкость. Самым распространенным материалом тонкопленочных проводников и контактных площадок в ГИС повышенной надежности является золото с подслоем хрома нихрома или титана. Подслой обеспечивает высокую адгезию а золото – нужную проводимость высокую коррозионную стойкость возможность пайки и сварки.
В аппаратуре с менее жесткими требованиями к надежности в качестве проводников используют пленки меди или алюминия с подслоем хрома нихрома или титана. Для предотвращения окисления меди и улучшения условий пайки или сварки ее покрывают никелем золотом или серебром.
Методы формирования конфигураций элементов тонкопленочных ГИС
При масочном методе рекомендуется такая последовательность формирования слоев для изготовления ГИС содержащих резисторы проводники пересечения пленочных проводников конденсаторы. Напыление:
б) проводников и контактных площадок;
в) межслойной изоляции;
д) нижних обкладок конденсаторов;
ж) верхних обкладок конденсаторов;
) Фотолитографический метод
При фотолитографическом методе для изготовления ГИС содержащих резисторы и проводники используют два варианта технологии:
а) напыление материала резистивной пленки;
напыление материала проводящей пленки;
фотолитография проводящего слоя;
фотолитография резистивного слоя;
нанесение защитного слоя;
б) после проведения первых двух операций – фотолитография проводящего и резистивного слоев; фотолитография проводящего слоя; нанесение защитного слоя.
) Комбинированный масочный и фотолитографический метод
При совмещении масочного и фотолитографического методов для микросхем содержащих резисторы проводники и конденсаторы используют два варианта технологии:
а) напыление резисторов через маску;
напыление проводящей пленки на резистивную;
поочередное напыление через маску нижних обкладок диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов;
б) напыление резистивной пленки;
фотолитография проводящего и резистивного слоев;
фотолитография проводящего слоя напыление через маску нижних обкладок диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов;
нанесение защитного слоя.
Расчет тонкопленочных элементов
Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов.
Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов заключается в определении формы геометрических размеров и минимальной площади занимаемой резисторами на подложке. При этом необходимо чтобы резисторы обеспечивали рассеивание заданной мощности при удовлетворении требуемой точности в условиях существующих технологических возможностей.
Определение оптимальной с точки зрения минимума площади под резисторами ГИС сопротивление квадрата резистивной пленки:
где n – число резисторов Ri – номинал i-го резистора.
В одной схеме содержатся низкоомные и высокоомные резисторы используем два резистивных материала для выбора которых определяют ρs сначала для всех резисторов по формуле (1.1)
после чего разбивают резисторы на две группы так чтобы Ri max первой группы было меньше а Ri min второй группы – больше значения ρSопт вычисленного для всех резисторов.
Первая группа: R6 R8=0.56 кОм R11 R12= 0.33 кОм
Проверка: Rmax=560 Ом ≤ 3786 Ом
Вторая группа: R1 R2=6.8 кОм R3 R4=15 кОм R5 R7=39 кОм R9 R10=12 кОм
Проверка: Rmin=6800 Ом ≥ 3786 Ом
Затем по этой же формуле (1.1) рассчитывают ρSопт1 и ρSопт2 и выбирают материалы для каждой группы резисторов в отдельности.
Определение материала резистивной пленки
Первая группа: R6 R8=056 кОм R11 R12=0.33 кОм
При подборе материала резистивной пленки учитывалось TKR материала (минимальный) удельная мощность рассеяния (максимальная) диапазон номинальных значений сопротивлений (подходящий первой группе резисторов).
Таблица 1 - Свойства материала резистивной пленки для первой группы
Материал для напыления резистивной пленки
Нихром проволока Х20Н20 (ГОСТ 12766-67)
Материал контактных площадок
Удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки ρs
Диапазон номинальных значений сопротивлений Ом
Допустимая удельная мощность рассеяния Р0 Втмм2
Температурный коэффициент сопротивления TKR при Т=-60÷125 °С
Вторая группа: R1 R2=6.8 кОм R3 R4=15 кОм R5 R7=39 кОм R9R10=12кОм.
При подборе материала резистивной пленки учитывалось TKR материала (минимальный) и удельная мощность рассеяния (максимальная) диапазон номинальных значений сопротивлений (подходящий второй группе резисторов).
Таблица 2 - Свойства материала резистивной пленки для второй группы
Сплав РС-3001 (ЕТО.021.019 ТУ)
Золото с подслоем хрома (нихрома)
Допустимая удельная мощность рассеяния Р0 Втсм2
Температурный коэффициент сопротивления αR (TKR) при
Проверка правильности выбранного материала с точки зрения изготовления резисторов
Допустимая погрешность коэффициента формы должна быть положительной:
где γR – полная относительная погрешность изготовления пленочного резистора (из условий ТЗ)
γρS – погрешность воспроизведения величины ρS резистивной пленки (γρS =2.5 согласованно с преподавателем)
γRст – погрешность обусловленная старением пленки (γRст =0.3 согласованно с преподавателем)
γRt – температурная погрешность зависти от TKR материала пленки
где αR –температурный коэффициент сопротивления материала пленки (таблица 12)
для R3 R4 R9 R10 R11 R12.
Определение конструкции резисторов по значению коэффициента формы Кф
При 1≤≤ 10 рекомендуется конструировать резистор прямоугольной формы.
При 0.1≤≤ 1 – резистор прямоугольной формы у которого длина меньше ширины.
При >10 – резистор сложной формы типа меандр.
Получаем два резистора R5 R7 сложной формы остальные прямоугольной формы.
Расчет прямоугольных полосковых резисторов
Расчетное значение ширины резистора должно быть не менее наибольшего значения одной из трех величин: bтехн – ширина резистора определяемая возможгостями технологического процесса (bтехн=01); bточн –ширина резистора определяемая точностью изготовления; bр –минимальная ширина резистора при которой обеспечивается заданная мощность.
Полная длина резистора с учетом перекрытия контактных площадок:
Площадь занимаемая резистором на подложке:
)Удельная мощность рассеяния Р не превышает допустимого значения :
)Погрешность коэффициента формы не превышает допустимого значения
) Суммарная погрешность не превышает допуска
Так как то расчетная ширина резистора:
С учетом округления
Длина средней линии меандра:
Оптимальное число звеньев:
Длина прямолинейных участков:
) Удельная мощность рассеяния не превышает допустимого значения;
) Погрешность коэффициента формы не превышает допустимого значения;
) Суммарная погрешность не превышает допуска;
Конструктивный расчет конденсаторов.
По табл.3.5[1]. выбираем материал диэлектрика по рабочему напряжению.
Чтобы конденсатор занимал как можно меньшую площадь нужно выбирать материал с возможно более высокими диэлектрической проницаемостью электрической прочностью а также малыми значениями ТКС и .
Таблица 3 –Основные параметры диэлектрических материалов тонкопленочных конденсаторов
Материал для напыления диэлектрика
Боросиликатное стекло (ЕТО.035.015ТУ)
Материал для напыления обкладок
Алюминий А99 (ГОСТ 11069-64)
Удельное поверхностное сопротивление пленки обкладок
Рабочее напряжение в
Диэлектрическая проницаемость
Тангенс угла диэлектрических потерь
Электрическая прочность Всм
Рабочая частота f кГц не более
Температурный коэффициент емкости ТКС при Т=-60125 1
где Кз -коэффициент запаса электрической прочности (Кз =3 для пленочных конденсаторов); Uраб -рабочее напряжениеВ; Епр -электрическая прочность материала диэлектрика Всм.
Толщина входит в пределы (0.1-1) мкм следовательно материал диэлектрика выбран правильно в противном случае следует выбирать другой материал диэлектрика. При толщине диэлектрика менее 01мккм в нем возможны поры что может привести к короткому замыканию обкладок. При толщине длиэлектрика более 1 мкм возможен разрыв верхней обкладки в месте вывода из-за большой ступеньки по толщине пленки.
Удельная емкость конденсатора для обеспечения необходимой электрической прочности
Где - диэлектрическая проницаемость
Относительная температурная погрешность
Где - ТКС материала диэлектрика
Определение допустимой погрешности активной площади конденсатора
где -максимально допустимая относительная погрешность активной площади;
-допуск номинального значения конденсатора (см.табл. ТЗ)
-относительная погрешность удельной емкости характеризующая воспроизводимость удельной емкости в условиях данного производства
-относительная температурная погрешность (зависти в основном от ТКС материала диэлектрика);
-относительная погрешность обусловленная старением пленок конденсатора
Минимальная удельная емкость для обеспечения точности изготовления наименьшего по номиналу (С34 120пФ) конденсатора:
- погрешность длины; =001 мм - масочный метод
Минимальное значение удельной емкости конденсатора:
Определяем какова должна быть удельная емкость наименьшего по номиналу конденсатора с учетом технологических возможностей изготовления по площади перекрытия обкладок и толщине диэлектрика. Задаёмся тогда
Окончательно выбираем:
Определяем какая толщина диэлектрика соответствует выбранной удельной емкости:
Определяем коэффициент учитывающий краевой эффект.
Отношение поэтому коэффициент рассчитываем по следующей формуле:
Площадь перекрытия обкладок:
-для верхней обкладки конденсатора
-для нижней обкладки конденсатора
q- размер перекрытия нижней и верхней обкладок конденсатора(табл.3.15[1])
Размеры диэлектрика:
f- размер перекрытия нижней обкладки диэлектрика и диэлектрика(табл.3.15[1])
Площадь конденсатора по диэлектрику:
Пленочные конденсаторы
3 Выбор навесных компонентов
следовательно коэффициент учитывающий краевой эффект
поэтому используем навесной конденсатор:
По таблице 3.14 выбираем
Навесные конденсаторы
Определение площади подложки
Площадь платы определяют по формуле:
где-коэффициент запаса по площади определяемый количеством элементов в схеме их типом и сложностью связей между ними;
-площади занимаемые всеми резисторами конденсаторами контактными площадками;
-суммарная площадь навесных компонентов которые не могут быть расположены над пленочными элементами и занимают площадь на плате.
По табл.3.3.выбираем типоразмер платы: 24мм х 30мм S=720мм
При выборе корпуса учитываем размеры подложки условия эксплуатации и производства. В данном случае целесообразно применение корпуса аналогичного металлостеклянному корпусу 1210.28M-5H. Корпус имеет размер 24мм х 30мм расположение выводов — двухстороннее с каждой стороны по 14. Монтажный размер корпуса 34х39мм.
Корпус состоит из металлического дна и металлической крышки а также стеклянных деталей в которые впаяны либо впрессованы металлические выводы круглого или прямоугольного сечения. Металлическое дно также спаяно или спрессовано со стеклом. Герметизация осуществляется лазерной сваркой. Посадка в корпус клеем холодного отверждения.
Оценка качества разработанной топологии
Топология разработана в соответствии с технологическими ограничениями и соответствует схеме электрической принципиальной.
Разработка технологического процесса изготовления ГИМС
1. Выбор и обоснование технологического процесса
С точки зрения технологичности все резисторы целесообразно изготовлять одним методом. Поскольку по условию точность изготовления R2 R3 R5 R6
R12 R13 R14 R15 равна 5% и требуется чтобы резисторы занимали минимальную площадь то для изготовления резисторов следует выбрать фотолитографический метод. Для изготовления конденсаторов следует выбрать масочный метод. Технологический процесс изготовления тонкопленочной ГИС будет проводиться с помощью комбинированного метода (масочный и фотолитографический). Комбинированный масочный и фотолитографический метод применяют в серийном и массовом производстве при этом максимальная разрешающая способность при изготовлении пленочных элементов 50 мкм точность изготовления R- и С-элементов 1 и 10% соответственно. Максимальная точность изготовления резисторов (при подгонке) 0.1% конденсаторов 5%.
2. Технологический маршрут изготовления
Номер операции в маршрутной карте
Напыление резистивного слоя РС-3001
Стабилизация резистивного слоя РС-3001
Измерение удельного поверхностного сопротивления
Контроль качества слоя РС-3001 на травление (на дополнительной подложке)
Напыление резистивного слоя Нихром проволока Х20Н80
Стабилизация резистивного слоя Нихром проволока Х20Н80
Контроль качества слоя Нихром проволока Х20Н80 на травление (на дополнительной подложке)
Напыление первого проводящего слоя золото с подслоем хрома (нихрома)
Контроль адгезии слоя золота с подслоем хрома (нихрома)
Фотолитография 1 по проводящему слою золото с подслоем хрома (нихрома)
Контроль качества фотолитографии 1
Напыление второго проводящего слоя меди
Контроль адгезии слоя меди
Фотолитография 2 по проводящему слою меди
Контроль качества фотолитографии 2
Фотолитография 3 по резистивному слою Нихром проволока Х20Н80
Контроль качества фотолитографии 3
Фотолитография 4 по резистивному слою РС-3001
Контроль качества фотолитографии 4
Напыление нижних обкладок конденсаторов через маску
Напыление диэлектрика через маску
Напыление верхних обкладок конденсаторов через маску
Нанесение изоляционного слоя (Фоторезист ФП-383)
Фотолитография 5 по изоляционному слою (Фоторезист ФП-383).
Контроль качества фотолитографии 5
Напыление третьего проводящего слоя (перемычек) золото с подслоем хрома (нихрома)
Фотолитография 6 по резистивному слою золото с подслоем хрома (нихрома)
Контроль качества фотолитографии 6
Нанесение защитного покрытия (Фоторезист ФП-383)
Фотолитография 7 по слою (Фоторезист ФП-383). Вскрытие контактных площадок для контроля и монтажа
Контроль качества фотолитографии 7
Лужение открытых контактных площадок
Отмывка плат после лужения
Контроль качества лужения
Скрайбирование (резка подложки на платы)
Контроль электрических параметров
Монтаж навесных компонентов
Контроль качества монтажа
Приклейка платы к основанию корпуса
Пайка выводов корпуса к внешним контактным площадкам
Контроль на функционирование
Вакуумная сушка перед герметизацией
Прихватка крышки к корпусу контактно-точечной сваркой
Герметизация лазерной сваркой
Контроль герметичности
Защита поверхности корпуса лаком УР-231
3. Операционная карта герметизации корпуса лазерной сваркой
Подготовка рабочего места
1Проверить наличие документации на рабочем месте операционной карты технологического процесса рабочего журнала.
2Проверить визуальным осмотром исправность установок наличие защитных заземлений.
3Протереть внешние поверхности установки и микроскопа за исключением оптических элементов хлопчатобумажной влажной салфеткой до видимого отсутствия пыли и следов загрязнения.
4Протереть рабочие поверхности приспособления и выходное отверстие оправы объектива установки.
5Перед включением установок все тумблеры клавиши и лимбы должны быть в положении "0" и ВЫКЛ.
6Открыть вентиль подачи воды в системе охлаждения.
7Включить установку в сеть.
Технологический процесс
Получить партию с сопроводи-тельным листом
сопроводи-тельный лист
Проверить по сопроводительному листу выполнение предыдущей операции количество изделий
Поместить изделие с крышкой в приспособление и закреписть в установке
Установка "Квант-15" крепежная оснастка отвертка
Открыть вентиль подачи азота и установить на ротаметре расход азота
Баллон с азотом ротаметр
Сфокусировать стык корпуса и крышки в зоне короткой
Совместить центр перекрестия объектива со стыком корпуса и крышки
Кинескоп установки "Квант-15
Установить верньером пульта управления установкой напряжение
Пульт управления установкой "Квант-15"
Нажать одну из кнопок ПРИСПОСОБЛЕНИЕ слева или справа от кнопки СТОП.
Нажать кнопку РЕЖИМ РАБОТЫ ЧАСТОТА
Произвести сварку корпуса с крышкой по периметру с перекрытием начала шва
Перекрытие начала шва по периметру (3-4)мм
Нажать кнопку РЕЖИМ РАБОТЫ ОДИНОЧН
Нажать кнопку ПРИСПОСОБЛЕНИЕ СТОП.
Извлечь изделие из приспособления
Проверить качество сварного шва под микроскопом. Сварной шов не должен иметь непроваров раковин пор. При наличии вышеперечисленных дефектов откорректировать режим сварки в допустимых пределах и повторить переходы 3-14 для второго корпуса и крышки
Микроскоп МБС-10 ТУ3-3.1911-89
Увеличение микроскопа (4х-5х)
Повторить переходы 3 - 13 для партии изделий после подбора режима сварки соответствующего требованиям п. 14.
Забракованные изделия поместить на отдельную тару
Аналогично переходам 3-14
Заполнить сопроводительный лист и передать партию изделий на следующую операцию.
Сопроводительный лист
Требования безопасности
При выполнении данных технологических операций возможно возникновение следующих видов опасности:
Источниками электроопасности являются: корпуса электрооборудования в случае нарушения целостности заземления соединительные провода и кабели с неисправной изоляцией.
Источником пожароопасности является этиловый спирт при наличии открытого огня или искры.
Источником ожога глаз и кожи является лазерный луч.
Во избежание поражения электрическим током перед началом работы проверить визуальным осмотром целостность заземления корпуса установки проводов кабелей.
Во избежание пожара спирт на рабочем месте хранить в стаканчике с притертой крышкой вдали от нагревательных приборов.
Во избежание ожога глаз и кожи смотреть на излучение только через защитное стекло и не подставлять под лазерный луч открытые участки тела.
Основные требования и необходимые меры для обеспечения безопасности работающих
Для предупреждения поражения электрическим током необходимо обеспечить:
-надежное заземление установок вакуумного напыления фотолитографического оборудования виброцентрифуги и тех частей оборудования которые могут оказаться под напряжением;
-качественную изоляцию наружной электропроводки;
-ограждение всех доступных для прикосновения токоведущих частей оборудования;
-выполнение «Правил технической эксплуатации электроустановок потребителей» и «Правил техники безопасности при эксплуатации электроустановок потребителей» утвержденных Госэнергонадзором 12 апреля 1969г.
Для предотвращения пожара и взрыва необходимо предусмотреть:
-изолированное помещение для хранения и розлива ЛВЖ оборудованное приточно-вытяжной изоляцией во взрывозащищенном исполнении;
-вытяжную вентиляцию на рабочих местах обеспечивающую максимальное удаление паров ЛВЖ;
-тару для хранения и транспортировки ЛВЖ из небьющегося и недающего искру материала с плотно закрывающимися крышками с четким наименованием содержимого и надписью «Огнеопасно».
-наличие специально оборудованных кладовых и шкафов соответствующих требованиям безопасности рассчитанных на хранение в рабочем помещении растворителей и ЛВЖ в количествах не превышающих сменной потребности и согласованных с пожарной охраной;
аварийную вентиляцию на рабочих участках связанных с применением ЛВЖ сблокированную с сигнализирующими устройствами общеобменной вентиляции;
-сборники с плотно закрывающимися крышками для отходов ЛВЖ и протирочных материалов загрязненных ЛВЖ раздельно по видам с четким наименованием содержимого и надписью «Огнеопасно». Содержимое сборников надлежит удалять в конце смены в специально отведенное место;
-транспортировку и эксплуатацию баллонов со сжатым газом в устойчивом положении закрепленных специальными хомутиками исключающими возможность падения баллонов;
-транспортировку и эксплуатацию сосудов с жидким азотом исключающими возможность взрыва и обмораживания;
-вентиляцию и электропроводку во взрывоопасном исполнении в соответствии с требованиями «Правил устройства электроустановок» утвержденных Министерством энергетики и электрификации СССР от 2 июля 1956 г.
Для предотвращения термоожога необходимо обеспечить теплоизоляцию стенок и дверей электропечей сушильных шкафов чтобы температура их наружной поверхности была не выше 45 °С.
Для предотвращения обмораживания нужно предусмотреть защитные очки спецодежду и хлопчатобумажные перчатки при работе с жидким азотом.
Для предотвращения химических ожогов необходимо предусмотреть инструменты приспособления индивидуальные средства защиты (спецодежду защитные очки резиновые перчатки) исключающие непосредственный контакт при работе с химическими веществами;
-фонтанчики и нейтрализующие растворы расположенные непосредственно у ванн с кислотой и щелочной средой для смывания растворов случайно попавших на кожу;
-исправные корзины (решетки) для бутылей с кислотами и щелочами устланные соломой и стружкой пропитанной раствором хлористого кальция или хлористого магния;
-специальные носители или тележки для транспортировки бутылей с кислотами и щелочами;
-выполнение «Правил техники безопасности и производственной санитарии при производстве металлопокрытий» введенных приказом Министерства № 233 от 26 мая 1967 г.
Для предотвращения отравления необходимо предусмотреть:
-вытяжную вентиляцию обеспечивающую максимальное удаление вредных паров и газов на рабочих местах приготовления растворов и смесей обезжиривания травления отмывки плат нанесения проявления и удаления фоторезисторов;
-аварийную вентиляцию на рабочих участках связанных с применением токсичных веществ сблокированную с сигнализирующими устройствами общей вентиляции;
-оборудование рабочих участков общеобменной приточно-вытяжной вентиляции в соответствии с требованиями «Санитарных норм проектирования промышленных предприятий. СН-245-71» утвержденных Госстроем 5 ноября 1971 г.
Для предотвращения вредного воздействия ультрафиолетовых лучей необходимо работы на установках с источниками ультрафиолетового излучения выполнять в защитных очках.
Для предупреждения травмирования от движущихся и вращающихся частей пресса следует предусмотреть:
-защитные ограждения вращающихся частей пресса;
-соблюдение «Правил техники безопасности и производственной санитарии при холодной обработке металлов» распространенных по отрасли приказом № 238 от 26 мая 1967 г.
При выполнении технологических операций изготовления микросборок следует применять следующие методы и средства контроля параметров опасности:
-автоматические сигнализаторы (типа СВК-3М-1 и др.) сблокированные аварийной вентиляцией для определения и сигнализации о присутствия в воздухе закрытых помещений довзрывных концентраций горючих паров и их смесей;
-газоанализаторы типа ФП-5501П и другие для измерения и регистрации микроконцентраций газов и паров в целях ликвидации отравления;
-контроль изоляции и заземления в электроустановках в соответствии с «Правилами технической эксплуатации электроустановок»;
-контроль воздушной среды рабочих помещений в соответствии со сроками согласованными с санитарно-эпидемиологической станцией;
-проведение анализа и эффективности работы вентиляционных установок на рабочих местах и в помещении в соответствии со сроками установленными санитарно-эпидемиологической станцией и пожарной инспекцией.
Список используемой литературы:
Л. А. Коледов В. А. Волков Н. И. Докучаев Э. М. Ильина Н. И. Патрик. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. Под редакцией д-ра техн. наук проф. Л. А. Коледова.